• 回复
  • 收藏
  • 点赞
  • 分享
  • 发新帖

宽输入范围100W隔离DC-DC方案讨论

准备做个宽输入范围:DC 9~36v,输出12v/7A的隔离DC-DC,现在准备用3843+反激的方案,因为工作环境是密封的,只能通过机器外壳散热,担心这个方案的效率低,可靠性有问题,特请教做过类似案子的大虾讨论一下。有更好的方案吗?
全部回复(31)
正序查看
倒序查看
cdhzdz
LV.5
2
2012-04-26 15:43

自己顶下

0
回复
2012-04-26 16:03
**此帖已被管理员删除**
0
回复
88931399
LV.4
4
2012-04-26 16:04
@cdhzdz
自己顶下

用双管反激吧,初级电流检测用感应线圈,次级同步整流,或用推挽,全桥

0
回复
cdhzdz
LV.5
5
2012-04-26 16:46
@88931399
用双管反激吧,初级电流检测用感应线圈,次级同步整流,或用推挽,全桥
推挽+同步效率大概能达到多少?能上90%吗?
0
回复
cdhzdz
LV.5
6
2012-04-26 16:46
@QQ1838766976
**此帖已被管理员删除**
能说说方案吗?
0
回复
zq2007
LV.11
7
2012-04-26 16:50
@cdhzdz
自己顶下
如果是隔离的,应该选推挽来做比较好。
0
回复
cdhzdz
LV.5
8
2012-04-26 16:57
@zq2007
如果是隔离的,应该选推挽来做比较好。
推挽+同步整流,有好芯片请推荐一下
0
回复
zq2007
LV.11
9
2012-04-26 18:40
@cdhzdz
自己顶下
如果做隔离的话,最好选用推挽来做。
0
回复
2269633579
LV.1
10
2012-04-26 20:29

应该用二级方案做,我已经做出来了。效率全范围88%

0
回复
化雪
LV.4
11
2012-04-26 20:54

你的反激方案不是太好,只考虑了占空比的因素,那么9V输入的时候,有十几A电流,峰值就更大了,东西不是很好选。可以向你提供两种方案,你自已考虑一下。

      1、有源嵌位正激,这个应该是可以的,但我没做过,主要问题是变压器复位和管子应力,高端的时候占空比要设的很小才行,可能不太好使。还有很多问题,最简单的一个例子就是,我用这种电路做双倍输入,在低端时就很难处理,那么四倍会更麻烦。

    2、全桥,这是最合适的拓扑,优点是电路不会有问题,体积会比较小,如果你可以用多层板,那么这个是最合适得了,如果不能用多层板,100W可以用倍流,也可以解决一些问题。缺点就是件太多,然后,如果用平板变压器,不用倍流你没法做,用倍流,件多。

0
回复
化雪
LV.4
12
2012-04-26 20:55
@化雪
你的反激方案不是太好,只考虑了占空比的因素,那么9V输入的时候,有十几A电流,峰值就更大了,东西不是很好选。可以向你提供两种方案,你自已考虑一下。   1、有源嵌位正激,这个应该是可以的,但我没做过,主要问题是变压器复位和管子应力,高端的时候占空比要设的很小才行,可能不太好使。还有很多问题,最简单的一个例子就是,我用这种电路做双倍输入,在低端时就很难处理,那么四倍会更麻烦。  2、全桥,这是最合适的拓扑,优点是电路不会有问题,体积会比较小,如果你可以用多层板,那么这个是最合适得了,如果不能用多层板,100W可以用倍流,也可以解决一些问题。缺点就是件太多,然后,如果用平板变压器,不用倍流你没法做,用倍流,件多。
有源嵌位正激,后面的管子可以得用200v的,所以效率就一般了
0
回复
cdhzdz
LV.5
13
2012-04-27 09:35
@化雪
你的反激方案不是太好,只考虑了占空比的因素,那么9V输入的时候,有十几A电流,峰值就更大了,东西不是很好选。可以向你提供两种方案,你自已考虑一下。   1、有源嵌位正激,这个应该是可以的,但我没做过,主要问题是变压器复位和管子应力,高端的时候占空比要设的很小才行,可能不太好使。还有很多问题,最简单的一个例子就是,我用这种电路做双倍输入,在低端时就很难处理,那么四倍会更麻烦。  2、全桥,这是最合适的拓扑,优点是电路不会有问题,体积会比较小,如果你可以用多层板,那么这个是最合适得了,如果不能用多层板,100W可以用倍流,也可以解决一些问题。缺点就是件太多,然后,如果用平板变压器,不用倍流你没法做,用倍流,件多。
谢谢你的回复,因为体积有限,使用环境也不好散热也是个问题,所以效率要比较高,如果用全桥的话,用Isl6742这颗怎么样。还有就是忘了说负载是调变的,每过10s左右出现一次重载,其他时候大概在25w左右。倍流没做过,有什么要注意的能不能说下。
0
回复
cdhzdz
LV.5
14
2012-04-27 09:41
@2269633579
应该用二级方案做,我已经做出来了。效率全范围88%
两级也考虑过,先做非隔离buck+sr,效率能到95%以上,再用隔离升压,但是担心总效率不高,如果效率能到88%那就能接受,能说说你隔离用什么拓扑和控制芯片吗?
0
回复
2012-04-27 10:24
@化雪
你的反激方案不是太好,只考虑了占空比的因素,那么9V输入的时候,有十几A电流,峰值就更大了,东西不是很好选。可以向你提供两种方案,你自已考虑一下。   1、有源嵌位正激,这个应该是可以的,但我没做过,主要问题是变压器复位和管子应力,高端的时候占空比要设的很小才行,可能不太好使。还有很多问题,最简单的一个例子就是,我用这种电路做双倍输入,在低端时就很难处理,那么四倍会更麻烦。  2、全桥,这是最合适的拓扑,优点是电路不会有问题,体积会比较小,如果你可以用多层板,那么这个是最合适得了,如果不能用多层板,100W可以用倍流,也可以解决一些问题。缺点就是件太多,然后,如果用平板变压器,不用倍流你没法做,用倍流,件多。
输出才7A啊,用倍流
0
回复
化雪
LV.4
16
2012-04-27 19:46
@qinzutaim
输出才7A啊,用倍流[图片]

        isl6742没用过,如果我用的话可能会用ucc2808之类的。 

       倍流的话,我设计过两次,好像变比不太好设计,这个是我自已的问题,到现在也不搞懂,反正我当时可以多试几次,所以就没太多深入学习,二极管上的应力好像也不小。 

       时间比较久,记不清,你可以算一下,国外TI的网站上好像有一些资料,你可以看一下,

        EFD15的磁芯是不是可以在全桥下出到50W,如果可以而不超高的话,那么不用倍流是可以的。

        反正四倍输入电压,用什么拓扑都不太好用,如果能用反激是最好的,可惜我少做反激,所以不能提供更多的意见。

      15楼的兄弟,像楼主这种产品,是小模块的可能性很大,那么就要用平面的器件,如果到100W,一般的平面磁芯就不行了,如果用铜带的话,次级会很难出,用倍流可以解决这个问题,但同样电感要多用一个。

0
回复
huchuyou
LV.5
17
2012-04-27 19:56
兄弟可以试试BOOST+LLC试一下,效率应该还可以。可惜没时间试
0
回复
cdhzdz
LV.5
18
2012-04-27 20:12
@huchuyou
兄弟可以试试BOOST+LLC试一下,效率应该还可以。可惜没时间试
现在初步方案是boost+正激,先升压到38V左右,在用正激buck,这样开发时间短些。其他的方案没时间搞了,因为如果调不出来再换就怕来不及了。boost先用3843搞下,如果效率不行就用凌特的片子搞了。
0
回复
LV.1
19
2012-04-28 14:37
@cdhzdz
现在初步方案是boost+正激,先升压到38V左右,在用正激buck,这样开发时间短些。其他的方案没时间搞了,因为如果调不出来再换就怕来不及了。boost先用3843搞下,如果效率不行就用凌特的片子搞了。
复杂了,就直接active clamp forward就好,不过如果你对同步整流怎么搞清楚的话
0
回复
LV.1
20
2012-04-28 14:40
@cdhzdz
现在初步方案是boost+正激,先升压到38V左右,在用正激buck,这样开发时间短些。其他的方案没时间搞了,因为如果调不出来再换就怕来不及了。boost先用3843搞下,如果效率不行就用凌特的片子搞了。
另外注意9V要启动电压低的PWM芯片, 别搞的启动不了了,选低压启动系列的PWM记得
0
回复
cdhzdz
LV.5
21
2012-04-28 17:57
@
另外注意9V要启动电压低的PWM芯片,别搞的启动不了了,选低压启动系列的PWM记得
如果用正激有源钳位,选用NCP1562可以吗?说明书说启动电压最低是8.5V。不知道在低端输入(9v)时输出12.5V/7A有没有问题。还有就是用单管的话初级电流会不会太大了啊。
0
回复
LV.1
22
2012-05-02 10:02
@cdhzdz
如果用正激有源钳位,选用NCP1562可以吗?说明书说启动电压最低是8.5V。不知道在低端输入(9v)时输出12.5V/7A有没有问题。还有就是用单管的话初级电流会不会太大了啊。
1.启动电压8.5用在9V是不对的,二,原边可以并MOS的牙。。。
0
回复
glzhao
LV.6
23
2012-05-17 11:20

此类方案有多种方式可以实现,反激同样能够实现,主要是体积、成本、等多方面的要求,才能决定方案

0
回复
zhenxiang
LV.10
24
2012-05-22 11:06
@glzhao
此类方案有多种方式可以实现,反激同样能够实现,主要是体积、成本、等多方面的要求,才能决定方案

其实楼上说的推挽是个很好的方案。采用UC3846做个推挽电路效果很好。

0
回复
cdhzdz
LV.5
25
2012-05-22 18:09
@zhenxiang
其实楼上说的推挽是个很好的方案。采用UC3846做个推挽电路效果很好。
现在用UC3846做效率才80%(24输入时)。频率100k,变压器选EI30,初级双线并绕5匝,次级双线并绕11匝。输出电感55uH。帮忙看看有什么办法提高效率。没有用同步整流。
0
回复
2012-05-26 11:38
关注一下。。。。
0
回复
LV.1
27
2012-05-28 19:43
@cdhzdz
现在用UC3846做效率才80%(24输入时)。频率100k,变压器选EI30,初级双线并绕5匝,次级双线并绕11匝。输出电感55uH。帮忙看看有什么办法提高效率。没有用同步整流。
你这个用同步整流应该不错,不晓得你输出电感用了多少Rds_on的,电感量还可以稍微小一点。副边如果用同步整流,效率可以提高不少,简单算0.7V*7=4.9W.续流管用150V MOS,50mR的,两颗并,或用一颗好的,forward一个用个80V足够,简单算算也有至少3瓦好节约,效率可提高4个点。另外,你原边有否用电流互感器采样?明显低端输入电流很大,原边应该100V MOS足够用了。效率应该不止这么多的
0
回复
LV.1
28
2012-05-28 19:45
@
你这个用同步整流应该不错,不晓得你输出电感用了多少Rds_on的,电感量还可以稍微小一点。副边如果用同步整流,效率可以提高不少,简单算0.7V*7=4.9W.续流管用150VMOS,50mR的,两颗并,或用一颗好的,forward一个用个80V足够,简单算算也有至少3瓦好节约,效率可提高4个点。另外,你原边有否用电流互感器采样?明显低端输入电流很大,原边应该100VMOS足够用了。效率应该不止这么多的
不确定你是否直接正激了,看匝比貌似是的
0
回复
LV.1
29
2012-05-28 19:48
@cdhzdz
推挽+同步整流,有好芯片请推荐一下
宽范围用buck+桥的方案也不错,可参考NS的某芯片,貌似有专利问题,公司不大可考虑直接用
0
回复
cdhzdz
LV.5
30
2012-05-29 16:05
@
不确定你是否直接正激了,看匝比貌似是的
电路是推挽电路。因为成本问题没用同步整流。二极管用的是MBR20100。原边MOS用的是IRF640,因为在高端输入时怕100V的耐压不够。现在输出电感温升较高。达到了40℃,试过用45uH的电感温升还要高点。现在在低端输入时效率较低,只有74%(12V输入时)。能不能帮我看看变压器算的是不是合理,用过初级3T,次级7T的。效率和这个差不多,只是效率最高的时候是在17V输入。因为客户的输入一般是在24V,所以就用了现在这个匝数。
0
回复
10227
LV.7
31
2012-05-31 08:43
@dxsmail
关注一下。。。。
0
回复