低压大电流场效应MOS管司坦森集成电路！！！

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QQ:595639271

司坦森集成电路是一家台系、专业场效应MOSFET设计开发生产商

全系列的SOP-8,SOT-23,TO-252/251等封装MOSFET.

原厂供应。性价比优厚。

主推料号：

ST2300,ST2301,ST2302……ST2341…

ST3400,ST3401，3402….ST3413…

STP9435,STP4953，STN4402,STN4412,STP4407,STN4526,STP9527…

STC4606,STN4828(专用inverter)

STP6635,STN454,STN442D，STN413,ST16N10,ST13P10，ST36N10

STP3052。。。(TO-252/251)

……

原厂现货，欢迎来电垂询!

司坦森集成电路

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stanson_tech

LV.4

2012-06-07 13:22

物料齐全，总有一款适合你。。。

stanson_tech

LV.4

2012-06-12 09:49

@stanson_tech

物料齐全，总有一款适合你。。。

标准做到全面，服务做到无限！！！

stanson_tech

LV.4

2012-06-14 13:45

打酱油。。。

stanson_tech

LV.4

2012-06-18 10:20

场效应管（MOSFET）由于具有如下优点而广泛应用于PDP驱动电路中，这些优点主要是：

　　（1）场效应管是多数载流子导电，不存在少数载流子的存储效应，从而有较高的开关速度。

　　（2）具有较宽的安全工作区而不会产生热点和二次击穿，同时它具有正的温度系数，容易并联使用，可以解决大电流问题。

　　（3）具有较高的开启电压，即阈值电压，因此具有较高的噪声容限和抗干扰能力，给电路设计和调试带来很大的方便。

　　（4）由于它是电压控制器件，具有很高的输入阻抗，因此驱动功率小，而且驱动电路简单。

详情请联络贺生 13684977366

stanson_tech

LV.4

2012-06-20 09:42

培训继续。。。

等离子电视（PDP）是利用惰性气体放电产生的真空紫外线VUV，激发低能荧光粉发光来实现彩色图像显示的。PDP工作需要驱动电路产生高压脉冲来驱动屏体电极。PDP驱动电路中存在大量的功率开关器件，并要求功率开关器件有极快的开关速度（包括由导通转向截止的过渡时间Toff，和由截止转向导通的过渡时间Ton），以及大电流、高耐压的要求。

司坦森贺生 13684977366

stanson_tech

LV.4

2012-06-25 10:06

@stanson_tech

培训继续。。。等离子电视（PDP）是利用惰性气体放电产生的真空紫外线VUV，激发低能荧光粉发光来实现彩色图像显示的。PDP工作需要驱动电路产生高压脉冲来驱动屏体电极。PDP驱动电路中存在大量的功率开关器件，并要求功率开关器件有极快的开关速度（包括由导通转向截止的过渡时间Toff，和由截止转向导通的过渡时间Ton），以及大电流、高耐压的要求。司坦森贺生13684977366

选用MOS管必须参考的几大参数指标：

1）耐压BVdss(V)

（2）最大直流漏电流Id(A)

（3）漏源导通电阻Rds(on)(Ω或mΩ)

（4）漏极功耗Pd(W)

（5）输入电容Ciss(pF)

（6）上升时间tr(ns)　导通时间ton(ns)　下降时间tf(ns)

　　关断时间toff(ns)　反向恢复时间trr(ns)

（7）栅极总电荷Qg(nC)

（8）沟道温度Tch（℃）　结温度Tj（℃）

（9）微分电压dv/dt(V/ns)

（10）热阻Rthck(K/W

stanson_tech

LV.4

2012-06-27 13:25

@stanson_tech

选用MOS管必须参考的几大参数指标：1）耐压BVdss(V)（2）最大直流漏电流Id(A)（3）漏源导通电阻Rds(on)(Ω或mΩ)（4）漏极功耗Pd(W)（5）输入电容Ciss(pF)（6）上升时间tr(ns)　导通时间ton(ns)　下降时间tf(ns)　　关断时间toff(ns)　反向恢复时间trr(ns)（7）栅极总电荷Qg(nC)（8）沟道温度Tch（℃）　结温度Tj（℃）（9）微分电压dv/dt(V/ns)（10）热阻Rthck(K/W

通过以上对MOS管转换过程的分析，得出对MOS管栅极驱动电路的要求：

　　（1）栅极驱动电路的延迟时间要小，有助于减少栅压Vgs的上升时间。

　　（2）栅极驱动电路的输出峰值电流要大，大的峰值电流可以大大缩短密勒电容的充放电时间，从而缩短平台的持续时间。

　　（3）栅极驱动电压的变化率dv/dt要大，以便缩短栅压Vgs的上升或下降时间。

　　满足上述要求的栅极驱动电路，能够加快MOS管的转换过程，减少电压Vds与电流Id的重叠区域，有助于减少MOS管的开关损耗。也就是说，栅极驱动电路是影响MOS开关损耗的外界因素，而性能优良的MOS是获得低开关损耗和导通损耗的内在因素。

stanson_tech

LV.4

2012-07-02 09:28

@stanson_tech

期待下一节培训跟上！！！

stanson_tech

LV.4

2012-07-05 10:37

@stanson_tech

期待下一节培训跟上！！！

培训继续。。。

理想的栅极驱动器是高速开关和高峰值电流两者的结合，而高性能的MOS管，能够减少对栅极驱动器的要求，简化栅极驱动电路的设计，优良的栅极驱动电路与高性能的MOS管相结合，才能制作出高性能的PDP驱动电路。

　　目前，栅极驱动电路有现成的专用IC（栅极驱动器），如IR产的IR2110S、IXYS产的IX6R11S3等。

stanson_tech

LV.4

2012-07-06 14:09

@stanson_tech

通过以上对MOS管转换过程的分析，得出对MOS管栅极驱动电路的要求：　　（1）栅极驱动电路的延迟时间要小，有助于减少栅压Vgs的上升时间。　　（2）栅极驱动电路的输出峰值电流要大，大的峰值电流可以大大缩短密勒电容的充放电时间，从而缩短平台的持续时间。　　（3）栅极驱动电压的变化率dv/dt要大，以便缩短栅压Vgs的上升或下降时间。　　满足上述要求的栅极驱动电路，能够加快MOS管的转换过程，减少电压Vds与电流Id的重叠区域，有助于减少MOS管的开关损耗。也就是说，栅极驱动电路是影响MOS开关损耗的外界因素，而性能优良的MOS是获得低开关损耗和导通损耗的内在因素。

相当给力！

stanson_tech

LV.4

2012-07-09 11:19

@stanson_tech

物料齐全，总有一款适合你。。。

搜索。。。；。

stanson_tech

LV.4

2012-07-11 10:46

最后，对MOS管及栅极驱动器在PDP驱动电路中的应用作一些总结：

　　（1）在Vdss、Id、Pd等参数满足要求的前提下，Rds(on)、trr、Ciss、Qg等参数对减少MOS管的导通损耗和开关损耗至关重要。

　　（2）栅极驱动器起着电平转换和隔离作用，栅极驱动电路至少能提供2A以上的峰值输出电流，还要有高速的电压变化率（dv/dt）。

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LV.4

2012-07-13 09:34

@stanson_tech

最后，对MOS管及栅极驱动器在PDP驱动电路中的应用作一些总结：　　（1）在Vdss、Id、Pd等参数满足要求的前提下，Rds(on)、trr、Ciss、Qg等参数对减少MOS管的导通损耗和开关损耗至关重要。　　（2）栅极驱动器起着电平转换和隔离作用，栅极驱动电路至少能提供2A以上的峰值输出电流，还要有高速的电压变化率（dv/dt）。

培训还有不？？？

stanson_tech

LV.4

2012-07-16 09:36

@stanson_tech

期待下一节培训跟上！！！

期待奥运、。。。

stanson_tech

LV.4

2012-07-17 15:12

@stanson_tech

培训继续。。。理想的栅极驱动器是高速开关和高峰值电流两者的结合，而高性能的MOS管，能够减少对栅极驱动器的要求，简化栅极驱动电路的设计，优良的栅极驱动电路与高性能的MOS管相结合，才能制作出高性能的PDP驱动电路。　　目前，栅极驱动电路有现成的专用IC（栅极驱动器），如IR产的IR2110S、IXYS产的IX6R11S3等。

原装正品、假一赔十。。。