【问】TI的低压MOSFET用在BUCK电路中，如何避免上下管的直通情况发生？

如果是同步整流的BUCK电路，驱动做不好的话，的确会存在上下管直通的情况发生，要想解决这几个问题，要做到以下几点

1、合理的上下管导通死区时间，如果太小就会存在直通的可能导致炸管，如果太大，对电源的整体效率提升有负面作用

2、合理的选择上下管的驱动电阻，太大会影响驱动功率，以及电源的整体效率，太小就会影响EMI以及会造成直通的可能，还有就是上下管的尖峰问题

3、注意电路的layout，因为布线引起的分布电感（特别是大电流回路）会产生大量的尖峰，严重影响电路的EMI跟效率，严重时会导致下管的误导通

4.选择合适的MOSFET，主要关注的是Qrr跟body diode 的trr

以上供你参考

和MOS的主要关系不大，主要是驱动IC要预留合适的死区时间，其次是要注意PCB layout。

呵呵，这个跟MOSFET的关系太大了！！！甚至是主要的问题。

我有这个方面的资料，由于有版权问题，不方便发上来，但第4点非常重要

预留死区就可以了吧，MOS管的恢复时间肯定是有的，死区就是为了防止MOS管开关瞬间的恢复时间内直通

死区太长对效率影响很大！我在上面第一点有说明

主要是流过body diode的电流会造成较大损耗

冰版你好，

现在我在做一个60V100A输出的电源，输入是100V的。

现在怀疑是下管恢复时上下管直通的问题，发热严重

能推介一款适合做此的管子吗？