【问】DC/DC 升压拓扑中怎样使损耗降到最低？

输入12V,输出16V1.2A，UC3843做的，满载整机损耗是1.5W，效率92%，如果想再降低损耗，还能从哪里去做呢？

高手路过请指点！

D1、D1A已经用跳线短路掉了，电感L1B短路，输出整流管压降0.7V

全部回复(18)

只看楼主

正序查看

倒序查看

javike

LV.12

2012-06-07 15:10

92%已经差不多了，可以把MOS加个图腾或者加个加速关断，输出整流管可以用SBR10U45，VF=0.31V的，再看看MOS能不能选择RDS和Qg较小的。

YH半导体

LV.4

2012-06-07 15:24

@javike

92%已经差不多了，可以把MOS加个图腾或者加个加速关断，输出整流管可以用SBR10U45，VF=0.31V的，再看看MOS能不能选择RDS和Qg较小的。

mosfet RDS已经是0.018R的了，加个图腾或者加个加速关断，具体怎样做呢，输出整流管是应该换一下

zvszcs

LV.12

2012-06-07 15:34

@YH半导体

mosfetRDS已经是0.018R的了，加个图腾或者加个加速关断，具体怎样做呢，输出整流管是应该换一下

这个效率不错了哇，MOS 和二极管换个更加好的，估计会再提高点

你MOS耐压多少？

javike

LV.12

2012-06-07 15:34

@YH半导体

mosfetRDS已经是0.018R的了，加个图腾或者加个加速关断，具体怎样做呢，输出整流管是应该换一下

0.018R不算低哦，加个图腾使用一对NPN和PNP进去驱动，简单的加速就是在R17上反并个1N4148，如果再价格PNP的三极管加速更好。

心中有冰

LV.11

2012-06-07 15:41

我认为你能做到这个效率已经非常不错了，如果还想要提升效率，降低孙红啊的话就要下点功夫了

首先，你要把几个关键点的波形抓出来，看是否有尖峰与振荡

其次，功率器件需要跟得上，也就是说余量越大越好，MOSFET,diode,升压电感的磁芯跟线径等等，不过这会大幅度的让成本上升

再次，布线看是否有优化的空间

高效率的电源都是一点一点效率的抠出来的

bdzn

LV.9

2012-06-07 16:08

@YH半导体

mosfetRDS已经是0.018R的了，加个图腾或者加个加速关断，具体怎样做呢，输出整流管是应该换一下

纯友情的帮顶。

Mr.chen

LV.2

2012-06-07 17:38

@心中有冰

我认为你能做到这个效率已经非常不错了，如果还想要提升效率，降低孙红啊的话就要下点功夫了首先，你要把几个关键点的波形抓出来，看是否有尖峰与振荡其次，功率器件需要跟得上，也就是说余量越大越好，MOSFET,diode,升压电感的磁芯跟线径等等，不过这会大幅度的让成本上升再次，布线看是否有优化的空间高效率的电源都是一点一点效率的抠出来的

测试时输入输出线加粗缩短