反激变压器绕组的方向

请教版主,书上说要让电流变化强的绕组放在最里层,静默的绕组放在最外层.据我的理解在设计反激变压器时(三明治绕法),N1绕组的起头是接MOS管的D极,这样与MOS管连接的绕组会在变压器的最里层,与高压连接的绕组会在最外层.这样的变压器在辐射方面是不是好处理一些呢?

请看图: