90W适配器辐射30M---58M超标是什么地方引起的?普遍是MOS管高速开通关断引起,可以用增大MOS驱动电阻,RCD缓冲电路采用1N4007慢管,VCC供电电压用1N4007慢管来解决. 这些都试了,还是不行。可能是还没有找到源头吧,现在主要是30M--40M左右的超的多,请大家帮忙出出主意,还有哪些点能引起这些点超呢?如果整好了一定会在这里跟大家一起分享的。感谢了~!
紧急求助辐射30M--58M超标,更新进度了
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@lxiaoqing
你好,这个解决了没有呢
1,初级MOS吸收回路不知有没有串联电阻, 串联电阻阻值适当加大,但功率要足,要不然温升会高。(MOS耐压余量大的情况下)。
2,次级肖特基吸收电阻减小。(肖特基耐压余量大的情况下)
3,增大驱动电阻。(影响效率)
4,MOS 源极套磁珠。(影响效率)
5,肖特基脚套磁珠,或直接串引线套磁珠。(影响效率)
6,减小BUCK 电容+ ----》变压器-----》MOS -----》Isense电阻----BUCK 电容地之间回路的距离。
7,减小输出 电容+ ----》变压器-----》肖特基 -----输出电容地之间回路的距离。
8,变压器出次级之间加屏蔽。
9,变压器除了第一层初级绕组正绕,其余绕组反绕(但相位要保证不变)。
。。。。。。
希望对你有用,这些都是我平时解EMI时 针对30M-40M的对策。
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@wangxufei
1,初级MOS吸收回路不知有没有串联电阻,串联电阻阻值适当加大,但功率要足,要不然温升会高。(MOS耐压余量大的情况下)。2,次级肖特基吸收电阻减小。(肖特基耐压余量大的情况下)3,增大驱动电阻。(影响效率)4,MOS源极套磁珠。(影响效率)5,肖特基脚套磁珠,或直接串引线套磁珠。(影响效率)6,减小BUCK 电容+----》变压器-----》MOS-----》Isense电阻----BUCK 电容地之间回路的距离。7,减小输出 电容+----》变压器-----》肖特基 -----输出电容地之间回路的距离。8,变压器出次级之间加屏蔽。9,变压器除了第一层初级绕组正绕,其余绕组反绕(但相位要保证不变)。。。。。。。希望对你有用,这些都是我平时解EMI时针对30M-40M的对策。
楼主,解决了吗?说好的分享呢?
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