wangxufei：
1，初级MOS吸收回路不知有没有串联电阻,串联电阻阻值适当加大，但功率要足，要不然温升会高。（MOS耐压余量大的情况下）。2，次级肖特基吸收电阻减小。（肖特基耐压余量大的情况下）3，增大驱动电阻。（影响效率）4，MOS源极套磁珠。（影响效率）5，肖特基脚套磁珠，或直接串引线套磁珠。（影响效率）6，减小BUCK 电容+----》变压器-----》MOS-----》Isense电阻----BUCK 电容地之间回路的距离。7，减小输出 电容+----》变压器-----》肖特基 -----输出电容地之间回路的距离。8，变压器出次级之间加屏蔽。9，变压器除了第一层初级绕组正绕，其余绕组反绕（但相位要保证不变）。。。。。。。希望对你有用，这些都是我平时解EMI时针对30M-40M的对策。