求教关于反激电路RCD吸收电路参数的设计问题,十万火急!!!!!

C值改小有利于效率提升

一种方法是测试不加吸收电路时的前两个峰值决定的频率,然后加上电容使频率变为不加吸收电路的3倍.然后求出R.
还有一种是有计算公式,不过那公式我也没用过.等我找到了贴上去.仅供参考.
  希望大家多讨论

还有一个就是输出整流二极管的吸收电路的值也是很重要的,如果设计不合理,就会使输出滤波设计失败.

加电容只能使频率变低,怎么加上电容能使频率变为不加吸收电路的3倍?

是不是1/3

请教:怎么计算输出整流管的吸收电路的这个R ,C的值,他们的选取和什么有关?还望指教

为什么增加电容频率会下降?我是菜鸟

先测量变压器漏感,漏感储能
P=0.5LoIp^2
这个能量会由Snubber消耗掉.
电容上的能量关系
P=0.5CV^2
确定你的钳位电压后容量就出来了.然后计算你的消耗电阻R.
计算你的放电周期时间常数t=RC 这里t可以取10-20倍的开关周期.
你可能会问:这样岂不能量堆积越来越多?因为每次能量没有释放完全,不用担心,当能量堆积和热辐射达到平衡后就可以了.

增加电容后,冲放电的时间加长,即频率变小

是1/3,上贴写错了.

计算吸收网络时需要知道变压器的漏电感.一个简便的方法就是取其为初
级电感的某一百分数;另一个方法就是短路次级,在初级实际测量漏电感.如
果变压器结构合理,所用导线适合,由此得出的结果很理想.

所需缓冲电压计算公式如下:

                 VSNUB=VDSS-VDcmax-VR
                    
此处VR是由次级到初级的反射电压.通常我们设定此值约为100V.
二极管需要能够承受住最小缓冲电压与最大DC总线电压的和电压.因此:
                 VD3>VSNUB+VDCmax
                  
      
    电流的额定值不需要与缓冲器中的均方根电流一样大,它通常相对较小,
所以常常使用1-2A 的二极管.二极管应是快恢复型的以便在FET导通时减小
反向流通电流.

吸收电容和电阻的计算公式如下:
                 C=IP2×LLK(VR+VSNUB) × VSNUB
                 R= (VSNUB+VR)2- VR20.5×LLK×IP2×fDCmax
此处fDCmax是最大DC总线电压时的频率,一般地fDCmax是fmin的2倍.

先估算一下,初选RC,只要功率管的耐压够,R阻值尽量放大,以减小LOSS,可实际调试决定,C大小对效率影响不大.

大侠你的公式写的让人看不明白.请解释什么是LLK,IP2是IP平方吗

我想RCD的目的有两个
1. MOSFET的保护
2. 对其它电路, 设备的干扰

只要这两个要求满足了, R上的损耗应设计的足够小,

1096304403.doc
希望有帮助

很好!谢谢

还是以自己实验出来的最佳效果为主

记号先

建议大家都别用RCD做吸收了,损耗很大的,我的电源30-90W电源都是采用无源无损吸收的,MOSFET管几乎没温度,大大提高了转换效率

请教一下：什么叫无源无损吸收？ 有电路（简图）最好，谢谢！

 

不够详细......

我也想知道无源无损吸收是怎么样的？

加不了啊

mark

楼上有这方面的资料吗，分享一下。关于初级RCD和输出整流管的RC吸收回路，有很多设计方法，但是最终的结果，各有利有弊。都是在参考值的基础上，调试所得啊。

次级整流管的RC吸收回路的设计主要靠调试，以前CMG大师有很详细的论证，这一方面我也试验过，方法如下：

1.测量次级二极管引起的尖峰频率 fo；

2.在二极管上面并联电容，不断加大电容值Cx，直到步骤1的频率变为 fo/2 ；根据LC谐振公式，频率的平方反比于电容，因此，推算出分布电容为 Co=Cx/3；然后根据 Co 和 fo 推算分布电感  Lo；

3.计算特征阻抗：Z= Lo/Co。

4.RC吸收回路：电阻等于特征阻抗，即R=Z，这样子LC谐振在临界阻尼，刚好没有尖峰；

                       电容值C取Co的5~10倍皆可以，电容足够大，以免影响回路的分布电容，导致 Z 值偏移，吸收效果不好，或者根据C值再微调R。