underbridge：
假设电路上的snubber电容不会变化,而mosfet的结电容也稳定,假设flyback的初级线圈能量100%传递到次级,那么漏感的能量就在开关管关断的时候100%传递到snubber以及结电容上.电源对于交流是短路的,那么可以得到Ctotal=Csnubber+Cjunction.这里的C是一定的.漏感为Lo.有:1/2(LoIp^2)=1/2(CV^2)代入不同的Lo就可以得出不同漏感下Vspike的比例:Lo1＝ 14uH V＝243Lo2＝ 9uH V＝195Lo3＝ 5.7uHV＝143可以看出这里计算的电压和实际测量的电压有一点点误差,这些误差应该来自于理论值和实际的电路上的离散特性所造成的.例如,分布电容的变化,漏感变化对Ip的影响,耦合率上升对能量传递的影响等等.由于漏感以及这些电容所造成的能量损失需要释放,所以我们可以加上一个snubber电阻去释放能量,当热辐射和消耗能量平衡的时候,这颗电阻就会有一个固定的温升.谢谢.