请问IWATT的技术支持

目前在用IW1692-00做一款12W，500mA的恒流输出的案子.

最近调试了几天，存在如下疑问：

1. 6脚的输入电压检测，我如果用2*2M的电阻，除了限制高低压以外，是否还有限制最大V*S的作用？可以这样吗？

2.过冲是一个很普遍的现象，有没有好的办法抑制这个问题。

3.普遍存在烧MOS，IC，采样电阻的所谓炸鸡的现象。据我观察，不是高压击穿MOS。能不能把这类问题有一个可信的技术分析，让后来者避免这些问题。炸鸡现象与电压过冲有联系吗？（个人觉得有直接联系）

4.这款IC，是否存在技术缺陷，是否可用，是否会停产，或者是改进。最新版本是什么？（不要老提IW3620)

希望专业人士给予技术支持。请做广告的绕行！

如果有不方便说的，请站内短信通知！

谢谢！

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vivian315

LV.5

2012-07-13 21:24

回复楼上ballastt哥：

1.6脚VIN 不但有输入过压欠压检测，而且通过RC常数会影响软启动时间。
2.这款IC是同时具有CV和CC模式的，早期主要用于充电器这块，先是电压检测起用后再起用电流检测所以会有过冲，调整空载电压与实际LED负载电压与之匹配，可减小过冲电流。
3.MOS击穿后就会产生烧IC和取样电阻，这与变压器的设计、磁芯材质、温度、PCB走线、VSENSE电阻选取、MOS品质、IPK电流、有关。
4.这款IC不存在技术缺限，所以也不会有什么新版本。

希望能对你要解决的问题有帮助!

如以上回复有疑问，可以随时给我电话，我再请我们FAE和你直接交流沟通

宇昊电子/陈沛伶

Tel: 186 2030 2227
137 6029 2227

ballastt

LV.6

2012-07-14 08:57

@vivian315

[图片]回复楼上ballastt哥：1.6脚VIN不但有输入过压欠压检测，而且通过RC常数会影响软启动时间。2.这款IC是同时具有CV和CC模式的，早期主要用于充电器这块，先是电压检测起用后再起用电流检测所以会有过冲，调整空载电压与实际LED负载电压与之匹配，可减小过冲电流。3.MOS击穿后就会产生烧IC和取样电阻，这与变压器的设计、磁芯材质、温度、PCB走线、VSENSE电阻选取、MOS品质、IPK电流、有关。4.这款IC不存在技术缺限，所以也不会有什么新版本。希望能对你要解决的问题有帮助!如以上回复有疑问，可以随时给我电话，我再请我们FAE和你直接交流沟通宇昊电子/陈沛伶 Tel: 18620302227 13760292227

谢谢薇薇安的回复！但可能有点套话！

1.6脚的电阻阻值，根据DATASHEET描述，具有限制最大伏秒的功能。从测试看似乎不具备软启动时间的设定。而软启动的时间似乎和Vsense的电压高低有关。也就是您说的把空载电压提升，可以减小过冲的时间。但不减少过冲的高低。

3.由于IC是每个周期检测电流的，似乎不至于那么容易烧MOS。所以期待非笼统的说法。

4.一款好的IC是方便，可靠。也许我们的想法不一样。也许是其本不应该用来驱动LED.

cj569874123

LV.2

2012-07-17 12:20

@ballastt

谢谢薇薇安的回复！但可能有点套话！1.6脚的电阻阻值，根据DATASHEET描述，具有限制最大伏秒的功能。从测试看似乎不具备软启动时间的设定。而软启动的时间似乎和Vsense的电压高低有关。也就是您说的把空载电压提升，可以减小过冲的时间。但不减少过冲的高低。3.由于IC是每个周期检测电流的，似乎不至于那么容易烧MOS。所以期待非笼统的说法。4.一款好的IC是方便，可靠。也许我们的想法不一样。也许是其本不应该用来驱动LED.

6脚Rvin确实会影响最大VT值的。

MOS损坏一般是热损坏，如果不是高压击穿MOS，那么MOS损坏只能是电流过大，持续导通时间很长，发热过度损坏了。测量Vds应该在开关机，短路情况下，采样模式用峰值采样，抓峰值电压的。

IC损坏方面，如果ic的各脚位参数均在合理范围内，那么IC损坏从布板方面考虑了，IC是数字芯片，对ESD,杂讯等比较敏感，其实其他品牌也都一样。按照IW的PCB布板要求来，注意dv/dt,di/dt走线与高阻抗脚走线关系，然后提供一条尽量短不且经过IC的放电路径。

ballastt

LV.6

2012-07-19 10:10

@cj569874123

6脚Rvin确实会影响最大VT值的。MOS损坏一般是热损坏，如果不是高压击穿MOS，那么MOS损坏只能是电流过大，持续导通时间很长，发热过度损坏了。测量Vds应该在开关机，短路情况下，采样模式用峰值采样，抓峰值电压的。IC损坏方面，如果ic的各脚位参数均在合理范围内，那么IC损坏从布板方面考虑了，IC是数字芯片，对ESD,杂讯等比较敏感，其实其他品牌也都一样。按照IW的PCB布板要求来，注意dv/dt,di/dt走线与高阻抗脚走线关系，然后提供一条尽量短不且经过IC的放电路径。

谢谢你的帮助。

其实，个人感觉这款IC还是不错的，如果能把过冲的问题有一个有效的解决办法的话，应该就更精彩了。我曾想过在电流侦测脚加一个的阻容软启动的电路。

再者，MOS一定要选用耐瞬间电流大的。如果设计不好，由于电流采样有一定的延时，当电感量过小的时候，很容易烧MOS.