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司坦森集成电路是一家台系、专业场效应MOSFET设计开发生产商
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ST2300,ST2301,ST2302……ST2341…
ST3400,ST3401,3402….ST3413…
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STC4606,STN4828(专用inverter)
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STP3052。。。(TO-252/251)
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司坦森集成电路
http//www.stansontech.com
Tel:13684977366 贺 生
QQ:595639271
ST2301 替代 SI2301 AO3423 FDN302 FDN342P FDN338P APM2301 APM2313 APM2323 STM2309
ST2302 替代 SI2302 TN0200T FDN339AN FDN371N FDN335N APM2314 APM2324
ST2303 替代 SI2303 SI2307 SI2323 AO3405 AO3409 AO3421 FDN360P FDN358P FDN352AP APM2307
ST2304 替代 SI2304 SI2306 AO3406 AO3404 NDS355AN APM2306
ST2305 替代 SI2305
ST2341 替代 AO3415
ST2342 替代 AO3416 AO3420
ST3400 替代 AO3400
ST3401 替代 AO3401
ST3407 AO3407
ST3413 SI2321 AO3413 AO3419
ST3414 SI2412 SI3418 AO3414 APM2300 APM2312
ST3403 SI2341 SI2307 AO3403
ST3402 SI2316 AO3402 AO3418 FDV303N FDN359AN FDN361AN
ST7400 AO7400 AO7410
ST1413 SI1303 SI1307 APM1401STN423 APM1402
ST1443 SI1304 SI1302
ST1413A SI1413DH AO7411 AO7415 FDG326P
ST1423A SI1410DH AO7408 FDG329N
ST1433A SI1433DH AO7405 AO7405 FDG316P
STP1013 SI1013
STN1012 SI1012
STP4953 替代 SI4953 AO4803 FDS8958 APM4953
STC4539 替代 SI4539 APM4542
STN4440 替代 AO4440
ST9435 SI9435 SI 4431 AO4405 FDS 9435
STP9437 AO4403
STP4435 SI4431 SI4435 SI4425 AO4411 AO4415 FDS8435 FDS4435 FDS6675
STP9527
STN4412 SI4412 S4416 SI9410 AO4412 AO4414
STN4426
STN4346 SI4362 SI7442 SI4404 SI4888 AO4404
STN 4392 SI4346 AO4430
STN4402 SI4420 SI4882 SI4820 SI4894 AO4420 AO4422 AO4466 FDS 6630A FDS6614A FDS6680 FDS6924 IRF7413
STN4546
STN4526
STN4436 STN4850
STN4440 AO4440
STP4953 SI4953 AO4803 FDS8958 APM4953
STP4803
STN4920 SI4920 AO4812
STN4828 SI4900 AO4828
STN9926
STN6303 SI912 AO7800 FDC6335 FDC6303
STN6561 AO6802 FDC6561
STN6562 AO6800 FDC6561
STP6308 SI1913 AO7801 FDC6308
STP6506 SI4447 SO4443 FDC6506
STP6507 AO6801 FDC6506
STC4539 SI4539 APM4542
STC4614 SI4567 AOS4614
STC4527
STC6601 SI3590 AO6601 FDC6432
STC6602 SI3552 AO6602 FDC6333
STC6604 SI3586 SI3588 AO6604 FDC6420 FDC6327 APM2701C
STC6332 SI1563 AO7600 FDC6332
ST8835 SG6848 LD7535
联系人:贺生 13684977366 QQ 595639271
台湾大电流MOS管 联系人 贺生 13684977366
溝槽式場效電晶體 Trench_MOSFET ( TO-251/TO-252)
首先,来做一个实验,把一个MOSFET的G悬空,然后在DS上加电压,那么会出现什么情况呢?很多工程师都知道,MOS会导通甚至击穿。这是为什么呢?因为我根本没有加驱动电压,MOS怎么会导通?用下面的图,来做个仿真:
去探测G极的电压,发现电压波形如下:
G极的电压居然有4V多,难怪MOSFET会导通,这是因为MOSFET的寄生参数在捣鬼。
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MOSFET有两大类型:N沟道和P沟道。在功率系统中,MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时,其开关导通。导通时,电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻,称为导通电阻RDS(ON)。必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端,因此,总是要在栅极加上一个电压。如果栅极为悬空,器件将不能按设计意图工作,并可能在不恰当的时刻导通或关闭,导致系统产生潜在的功率损耗。当源极和栅极间的电压为零时,开关关闭,而电流停止通过器件。虽然这时器件已经关闭,但仍然有微小电流存在,这称之为漏电流,即IDSS。
第一步:选用N沟道还是P沟道
为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。在典型的功率应用中,当一个MOSFET接地,而负载连接到干线电压上时,该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中,应采用N沟道MOSFET,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOSFET连接到总线及负载接地时,就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOSFET,这也是出于对电压驱动的考虑。
要选择适合应用的器件,必须确定驱动器件所需的电压,以及在设计中最简易执行的方法。下一步是确定所需的额定电压,或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大,器件的成本就越高。根据实践经验,额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护,使MOSFET不会失效。就选择MOSFET而言,必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压,即最大VDS。知道MOSFET能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围,确保电路不会失效。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如电机或变压器)诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同;通常,便携式设备为20V、FPGA电源为20~30V、85~220VAC应用为450~600V。
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第二步:确定额定电流
第二步是选择MOSFET的额定电流。视电路结构而定,该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似,设计人员必须确保所选的MOSFET能承受这个额定电流,即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下,MOSFET处于稳态,此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流,只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。
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选好额定电流后,还必须计算导通损耗。在实际情况下,MOSFET并不是理想的器件,因为在导电过程中会有电能损耗,这称之为导通损耗。MOSFET在“导通”时就像一个可变电阻,由器件的RDS(ON)所确定,并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS(ON)计算,由于导通电阻随温度变化,因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOSFET施加的电压VGS越高,RDS(ON)就会越小;反之RDS(ON)就会越高。对系统设计人员来说,这就是取决于系统电压而需要折中权衡的地方。对便携式设计来说,采用较低的电压比较容易(较为普遍),而对于工业设计,可采用较高的电压。注意RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升。关于RDS(ON)电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。
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