• 回复
  • 收藏
  • 点赞
  • 分享
  • 发新帖

产品开发卡壳了!请教DX输出13V6A电源效率最高可做到多少?

小弟现有一个产品,要求密封在一个110*70*45的塑壳内,市电输入,输出13V6A,所以对温升要求很严格,我试了一下,单端反激电路用0880+EI40+MBR2550,结果效率勉强达到80%,明显不够,可能温升太高(密封),十几分钟后还把MBR2550给烧了.现在头疼得厉害,特向DX求救,能否把效率做到90以上,且体积不能太大,但功率因数和纹波可不做要求.还有一点,限流时老是有自激现象,变压器叫,不知大家把限流信号加在哪里,我是加在PC817的二极管下面,是否可以加在431的参考端? 小弟跪求中......
全部回复(31)
正序查看
倒序查看
瞌睡虫
LV.5
2
2006-06-17 15:40
第一种,两个二极管并联
第二种,同步整流

不知你二极管的散热片有多大??
0
回复
开拓者1
LV.8
3
2006-06-17 15:54
@瞌睡虫
第一种,两个二极管并联第二种,同步整流不知你二极管的散热片有多大??
其实是你的方案选的不对 不要相信芯片资料上说的0880说其导通电阻最大只有一点几欧姆事实上根本不是这样 在电源满载时其导通电阻至少是5R以上 一般是七八欧姆 所以加载其芯片很热
你输出16V,二极管反向耐压至少要用到100V的 建议用MBR20100CT两片并联使用
0
回复
glz119
LV.3
4
2006-06-17 15:55
@瞌睡虫
第一种,两个二极管并联第二种,同步整流不知你二极管的散热片有多大??
标准的TO220分装15*25散热器,反激用同步整流不好搞吧?再说现在是整个温升高,估计变压器也不太合理,我初级60匝,次级5匝加了0.3MM气隙,初级电感1.1mH,漏感80uH.发现RCD吸收电路也发热厉害.
0
回复
开拓者1
LV.8
5
2006-06-17 15:56
@开拓者1
其实是你的方案选的不对不要相信芯片资料上说的0880说其导通电阻最大只有一点几欧姆事实上根本不是这样在电源满载时其导通电阻至少是5R以上一般是七八欧姆所以加载其芯片很热你输出16V,二极管反向耐压至少要用到100V的建议用MBR20100CT两片并联使用
你这个方案 这个效率是正常的 电路也没有什么大错误之处 若是想提高 建议使用IC加场管驱动的办法 效率能高出几个百分点来
0
回复
开拓者1
LV.8
6
2006-06-17 15:59
@glz119
标准的TO220分装15*25散热器,反激用同步整流不好搞吧?再说现在是整个温升高,估计变压器也不太合理,我初级60匝,次级5匝加了0.3MM气隙,初级电感1.1mH,漏感80uH.发现RCD吸收电路也发热厉害.
根本不需要用反激同步整流 因为这个输出电压够高的 如果是输出低如5V6A 用同步整流是对的 同步整流电路复杂 搞不好的话 还不如肖特基管整流来的强 把你的样品烧一会 摸一下你的那个IC 就知道 其不比肖特基管的温度低
0
回复
glz119
LV.3
7
2006-06-17 16:11
@开拓者1
根本不需要用反激同步整流因为这个输出电压够高的如果是输出低如5V6A用同步整流是对的同步整流电路复杂搞不好的话还不如肖特基管整流来的强把你的样品烧一会摸一下你的那个IC就知道其不比肖特基管的温度低
谢谢各位DX,真是挺烫,与肖特基差不多,那怎么办?用3842好像体积要大了点,还有,用什么MOSFET效率高?我用0880主要是觉得它简单可靠,已经用了很久了,很有点感情了,呵呵!
0
回复
洪七公
LV.9
8
2006-06-17 16:21
@glz119
标准的TO220分装15*25散热器,反激用同步整流不好搞吧?再说现在是整个温升高,估计变压器也不太合理,我初级60匝,次级5匝加了0.3MM气隙,初级电感1.1mH,漏感80uH.发现RCD吸收电路也发热厉害.
用我们的反激同步整流IC调试不难.Mosfet 选用低Rds(on),4-10毫欧的,一下就能比你原来的用二极管降低几w的损耗(你二极管应该有损耗在3-4W吧).推荐你使用我们的同步整流IC,不难调试.不过你得考虑你们这样做你们的产品成本是否能接受,因为这得让你要增加几块RMB.你如果是做低压大电流肯定划算,但你的13V/6A输出确实得衡量一下.要样品,调试资料请和我联系0755-21009980 .下面是几款反激同步整流IC的资料.1150532098.pdf1150532466.pdf
0
回复
glz119
LV.3
9
2006-06-17 16:25
还有一点,限流时老是有自激现象,变压器叫,不知大家把限流信号加在哪里,我是加在PC817的二极管下面,是否可以加在431的参考端?
0
回复
glz119
LV.3
10
2006-06-17 16:33
@开拓者1
其实是你的方案选的不对不要相信芯片资料上说的0880说其导通电阻最大只有一点几欧姆事实上根本不是这样在电源满载时其导通电阻至少是5R以上一般是七八欧姆所以加载其芯片很热你输出16V,二极管反向耐压至少要用到100V的建议用MBR20100CT两片并联使用
那完了!
0
回复
世界真奇妙
11
2006-06-17 20:59
建议如下:
1.单端反激电路,不用同步整流,主功率电路改用3842+MOS,壳大小 110*70*45没有问题.
2.MOS管用仙童的Super FET(超级FET),
FCP16N60    600V   16A   0.22Ω
FCP20N60    600V   20A   0.15Ω
3.付边整流用一只40A肖特基,或2只20A肖特基并联,耐压100V.管子两端要加RC吸收,以抑制反向电压尖峰.
4.由于Super FET的耐压只有600V,变压器的设计要使反射电压低一些.
5.变压器可用EC28X35卧式,PC40.为减小趋肤效应影响,要用多股线绕.
原边0.19线9股21T+21T,付边0.25线30股7T,辅助绕组0.19线1股7-8T.
三明治绕法.垫约0.27毫米气隙,原边21T+21T的总电感为380-400微亨.
变压器原边允许峰值电流2.8A.工作频率约70K,
该变压器的主要发热是付边绕组.如果窗口有余,付边可再加股.
6.铝型材散热器的导热系数约200,纯铜的导热系数396,散热器不要用成品铝型材,要用铜板制作,要紧贴外壳的内壁绕一圈.这样可以一举两得,既可以尽可能地减小壳内外的热阻,又可以使散热器少占壳内空间.
7.输入整流桥的电流容量用大,可减少发热.电解电容必须用105度的.高压滤波82UF/400V.输出电解至少要用两个3300UF/25V.
8.尽可能减少钳位电路,吸收电路功耗,减少发热.
9.经过以上措施,效率达到85%以上是没有问题的,应该接近90%.
10.附FCP16N60和 FCP20N60资料


1150549046.pdf1150549173.pdf
.
0
回复
开拓者1
LV.8
12
2006-06-19 08:36
@世界真奇妙
建议如下:1.单端反激电路,不用同步整流,主功率电路改用3842+MOS,壳大小110*70*45没有问题.2.MOS管用仙童的SuperFET(超级FET),FCP16N60    600V  16A  0.22ΩFCP20N60    600V  20A  0.15Ω3.付边整流用一只40A肖特基,或2只20A肖特基并联,耐压100V.管子两端要加RC吸收,以抑制反向电压尖峰.4.由于SuperFET的耐压只有600V,变压器的设计要使反射电压低一些.5.变压器可用EC28X35卧式,PC40.为减小趋肤效应影响,要用多股线绕.原边0.19线9股21T+21T,付边0.25线30股7T,辅助绕组0.19线1股7-8T.三明治绕法.垫约0.27毫米气隙,原边21T+21T的总电感为380-400微亨.变压器原边允许峰值电流2.8A.工作频率约70K,该变压器的主要发热是付边绕组.如果窗口有余,付边可再加股.6.铝型材散热器的导热系数约200,纯铜的导热系数396,散热器不要用成品铝型材,要用铜板制作,要紧贴外壳的内壁绕一圈.这样可以一举两得,既可以尽可能地减小壳内外的热阻,又可以使散热器少占壳内空间.7.输入整流桥的电流容量用大,可减少发热.电解电容必须用105度的.高压滤波82UF/400V.输出电解至少要用两个3300UF/25V.8.尽可能减少钳位电路,吸收电路功耗,减少发热.9.经过以上措施,效率达到85%以上是没有问题的,应该接近90%.10.附FCP16N60和FCP20N60资料1150549046.pdf1150549173.pdf.
MOS用最大电流10A 最高电压600V的就行了 这样的外壳 做这个规格的功率输出 倒也是差不多 可以做到 效率好的话 也可认到85%吧 其实场管驱动的电路比0880难一点 也难不了多少 还有就是注意线路板布局布线 线路板搞不好 调试时电源会不稳定 我吃过这种亏 建议去借签一下别人的布局布线才好
0
回复
glz119
LV.3
13
2006-06-19 11:58
@世界真奇妙
建议如下:1.单端反激电路,不用同步整流,主功率电路改用3842+MOS,壳大小110*70*45没有问题.2.MOS管用仙童的SuperFET(超级FET),FCP16N60    600V  16A  0.22ΩFCP20N60    600V  20A  0.15Ω3.付边整流用一只40A肖特基,或2只20A肖特基并联,耐压100V.管子两端要加RC吸收,以抑制反向电压尖峰.4.由于SuperFET的耐压只有600V,变压器的设计要使反射电压低一些.5.变压器可用EC28X35卧式,PC40.为减小趋肤效应影响,要用多股线绕.原边0.19线9股21T+21T,付边0.25线30股7T,辅助绕组0.19线1股7-8T.三明治绕法.垫约0.27毫米气隙,原边21T+21T的总电感为380-400微亨.变压器原边允许峰值电流2.8A.工作频率约70K,该变压器的主要发热是付边绕组.如果窗口有余,付边可再加股.6.铝型材散热器的导热系数约200,纯铜的导热系数396,散热器不要用成品铝型材,要用铜板制作,要紧贴外壳的内壁绕一圈.这样可以一举两得,既可以尽可能地减小壳内外的热阻,又可以使散热器少占壳内空间.7.输入整流桥的电流容量用大,可减少发热.电解电容必须用105度的.高压滤波82UF/400V.输出电解至少要用两个3300UF/25V.8.尽可能减少钳位电路,吸收电路功耗,减少发热.9.经过以上措施,效率达到85%以上是没有问题的,应该接近90%.10.附FCP16N60和FCP20N60资料1150549046.pdf1150549173.pdf.
请问老兄FCP16N60大概什么价位?有没有800v以上的?用600v管子遇瞬时短路可能会炸管,小弟过去碰到过好几次.如果按老兄方案成本可能会偏离不少吧?另外,原边匝数是不是少了?我算了一下要差很多阿!
0
回复
开拓者1
LV.8
14
2006-06-19 14:28
@glz119
请问老兄FCP16N60大概什么价位?有没有800v以上的?用600v管子遇瞬时短路可能会炸管,小弟过去碰到过好几次.如果按老兄方案成本可能会偏离不少吧?另外,原边匝数是不是少了?我算了一下要差很多阿!
不会吧 反激式的一样就是用600V耐压的管子啊 16N60肯定比较贵 这个东西东就是用6N60免强也能做得下吧 看你是什么输入条件了
0
回复
开拓者1
LV.8
15
2006-06-19 14:31
@开拓者1
不会吧反激式的一样就是用600V耐压的管子啊16N60肯定比较贵这个东西东就是用6N60免强也能做得下吧看你是什么输入条件了
短路炸管 和MOS耐压值应该没有关系吧 短路时 是电流突然增大 却不是电压高吧
0
回复
wjc5230
LV.3
16
2006-06-19 15:06
你的MBR2550是肖特基还是快恢复.
0
回复
glz119
LV.3
17
2006-06-19 15:06
@开拓者1
短路炸管和MOS耐压值应该没有关系吧短路时是电流突然增大却不是电压高吧
老兄您的匝数(特别是原边)是不是太少了?我算了一下要差很多阿!短路炸管我看好像是MOS管关断瞬间炸的.
0
回复
glz119
LV.3
18
2006-06-19 15:08
@开拓者1
短路炸管和MOS耐压值应该没有关系吧短路时是电流突然增大却不是电压高吧
对不起,搞错了,是别人!
0
回复
glz119
LV.3
19
2006-06-19 15:13
@wjc5230
你的MBR2550是肖特基还是快恢复.
MBR都是肖特基,快恢复是MUR.
0
回复
wjc5230
LV.3
20
2006-06-19 15:17
@glz119
MBR都是肖特基,快恢复是MUR.
你的输出电压是13V,为什么用的是肖特基,不是快恢复?
0
回复
glz119
LV.3
21
2006-06-19 15:18
@开拓者1
短路炸管和MOS耐压值应该没有关系吧短路时是电流突然增大却不是电压高吧
我EI40是原边30+30,次级5匝
0
回复
glz119
LV.3
22
2006-06-19 15:20
@wjc5230
你的输出电压是13V,为什么用的是肖特基,不是快恢复?
为了降低损耗
0
回复
wjc5230
LV.3
23
2006-06-19 15:27
@glz119
为了降低损耗
你换上快恢复管试试,你的效率有所改变.
0
回复
glz119
LV.3
24
2006-06-19 15:35
@wjc5230
你换上快恢复管试试,你的效率有所改变.
快恢复好像比肖特基电阻大吧!
0
回复
开拓者1
LV.8
25
2006-06-20 11:01
@glz119
快恢复好像比肖特基电阻大吧!
当然是快恢复的损耗更大啦
0
回复
glz119
LV.3
26
2006-06-20 12:47
我EI40是原边30+30,次级5匝,有问题吗?
0
回复
franc_y
LV.5
27
2006-06-20 16:53
@glz119
我EI40是原边30+30,次级5匝,有问题吗?
有點危險﹐除非你的Spike處理的非常好﹐否則你用不了600V的管子
0
回复
franc_y
LV.5
28
2006-06-20 16:56
@世界真奇妙
建议如下:1.单端反激电路,不用同步整流,主功率电路改用3842+MOS,壳大小110*70*45没有问题.2.MOS管用仙童的SuperFET(超级FET),FCP16N60    600V  16A  0.22ΩFCP20N60    600V  20A  0.15Ω3.付边整流用一只40A肖特基,或2只20A肖特基并联,耐压100V.管子两端要加RC吸收,以抑制反向电压尖峰.4.由于SuperFET的耐压只有600V,变压器的设计要使反射电压低一些.5.变压器可用EC28X35卧式,PC40.为减小趋肤效应影响,要用多股线绕.原边0.19线9股21T+21T,付边0.25线30股7T,辅助绕组0.19线1股7-8T.三明治绕法.垫约0.27毫米气隙,原边21T+21T的总电感为380-400微亨.变压器原边允许峰值电流2.8A.工作频率约70K,该变压器的主要发热是付边绕组.如果窗口有余,付边可再加股.6.铝型材散热器的导热系数约200,纯铜的导热系数396,散热器不要用成品铝型材,要用铜板制作,要紧贴外壳的内壁绕一圈.这样可以一举两得,既可以尽可能地减小壳内外的热阻,又可以使散热器少占壳内空间.7.输入整流桥的电流容量用大,可减少发热.电解电容必须用105度的.高压滤波82UF/400V.输出电解至少要用两个3300UF/25V.8.尽可能减少钳位电路,吸收电路功耗,减少发热.9.经过以上措施,效率达到85%以上是没有问题的,应该接近90%.10.附FCP16N60和FCP20N60资料1150549046.pdf1150549173.pdf.
變壓器最好用PQ的﹐這樣副邊的圈數還可以減小﹐最好在4T左右
0
回复
wxy2003
LV.4
29
2006-06-21 00:53
用0880做宽电压输入可能是比较够呛,窄电压输入没有问题.
外壳尺寸完全可以.
但你的肖特基确实电压和耐压都不够.
提高产品转换效率的方法很多,其中之一是电路参数必须设计合理并优化.第二变压器设计也是至关重要.发热的三大源泉是开关管,变压器,次级整流器,搞定这三块效率就出来了.
0
回复
glz119
LV.3
30
2006-06-21 09:49
@wxy2003
用0880做宽电压输入可能是比较够呛,窄电压输入没有问题.外壳尺寸完全可以.但你的肖特基确实电压和耐压都不够.提高产品转换效率的方法很多,其中之一是电路参数必须设计合理并优化.第二变压器设计也是至关重要.发热的三大源泉是开关管,变压器,次级整流器,搞定这三块效率就出来了.
呵呵,老兄真是夜猫子!小弟的RCD吸收电路发热也厉害,有点烫手,用的是33K/3W+222+P6KE440+BYV26C
0
回复
camm3219
LV.3
31
2009-07-23 08:24
@洪七公
用我们的反激同步整流IC调试不难.Mosfet选用低Rds(on),4-10毫欧的,一下就能比你原来的用二极管降低几w的损耗(你二极管应该有损耗在3-4W吧).推荐你使用我们的同步整流IC,不难调试.不过你得考虑你们这样做你们的产品成本是否能接受,因为这得让你要增加几块RMB.你如果是做低压大电流肯定划算,但你的13V/6A输出确实得衡量一下.要样品,调试资料请和我联系0755-21009980.下面是几款反激同步整流IC的资料.1150532098.pdf1150532466.pdf
能否用作LLC的同步整流?
0
回复
工程师都在看
关于三极管和稳压管组成的稳压电路
24c01硬件电子
【 DigiKey DIY原创大赛】基于STM32的直流生理电刺激治疗仪
大_树
【 DigiKey DIY原创大赛】自平衡莱罗三角形（四）- 程序结构及逻辑
地瓜patch
如何使用伯德图进行电路稳定性分析（2）-简易判断方法闭合速度法
听风织云
如何使用伯德图进行电路稳定性分析（4）-缺失的零极点
听风织云
立
即
发
帖