【问】TI分立元件

TI的那几颗MOS也是收购其他公司的产品，TI自己没有做MOS的。

N MOS和P MOS的内阻是有其工艺决定的：

NMOS是在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作为漏极D和源极S。

然后在漏极和源极之间的P型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅（Si02）绝缘层膜，在再这个绝缘层膜上装上一个铝电极，作为栅极G。

这就构成了一个N沟道（NPN型）增强型MOS管

P MOS是一块掺杂浓度较低的N型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的P+区，及上述相同的栅极制作过程，就制成为一个P沟道（PNP型）增强型MOS管。

其包含的半导体衬底和蚕杂的N和P区不一样，所以内阻会不一样。

TI的MOS样品很少，个人觉得性价比不是很高。