一位群里小伙伴提问：DC–DC芯片的BOOT引脚功能是什么？其实这个问题不难，可能给你一说你就懂了，只是很多刚接触到这块的小伙伴都会有这样的疑问。
然后群里的小伙伴也都回答的很好：
1、规格书上有写。规格书一般都会有引脚定义说明，就是每个芯片都有哪些引脚，每个引脚的功能是什么？能接受的电压范围是什么，包括推荐电路什么的里面都有说明。
2、看框图。也就是这个芯片内部电路是什么样子的，有部分是厂家直接框选出来并进行功能备注，这个框里面的电路不对外公开。所以咱们如果不懂，结合内部框图看个大概，大概哪一部分是什么作用之类的就行了，也不必深究每一部分里面的电路啥的。
3、BOOT引脚和SW引脚之间必须接0.1uF电容。
为什么要接电容而不是电阻？电容接多大？为什么是0.1uF而不是其它容值？
好吧，下面咱们挨个来捋捋，以GBI1630为例：
1、规格书引脚定义
如图红色圈出，功能说明：该引脚是INPUT输入引脚，在 BOOT 和 SW 引脚之间需要一个 0.1μF 自举电容，用于上管MOS驱动。电容上必须为0.1uF或者容值更大的陶瓷电容，否则上管 MOS将被强制关断，直到电容的刷新。
看完这句话，你好像也不太懂啥意思，反正你就记住BOOT 和 SW 引脚之间需要外接一个不小于0.1uF的电容就好了。
然后这个管脚，记得有电压输入范围，不要超过38V就好了，其实在电路设计时，每个引脚都要注意其电压输入范围。
2、内部框图
如下框图，可以看到最右端有个BOOT引脚，有的叫BST，在外部电路设计时，BOOT和SW管脚之间，需要加一个电容，一般是0.1uF，连接到DC–DC高端MOS管的驱动端，这个电容叫自举电容。
先记住电容的位置和名字吧。然后，我们首先要理解BUCK芯片的大概工作原理，然后再来进一步理解自举电容。
DC-DC BUCK基本工作原理
上面的NMOS我们叫上管（也叫高端MOS），下面的NMOS我们叫下管（也叫低端MOS）。
当上管关闭，下管MOS打开时，SW接地为0，BOOT上的电压由BOOT Charge提供，假如是5V，就对电容进行充电，此时电感通过续流二极管对负载进行供电；
当下管关闭，上管MOS打开时，因为上管Vgs>Vgs(th)，所以上管MOS就能打开，随着上管MOS打开，SW上的电压就会变成VIN，SW对电感进行充电储能，电感电流呈上升趋势。
如果不加这个C，那当Vgs
注意，上下管只能交替、轮流导通，不能同时打开，否则就直接炸机了。
怎么理解这个自举电容呢？它在这个电路中起到了很大的作用。
简要总结，就是BOOT电容的作用是SW在高电平时，利用电容两端电压不能突变的特性，将BOOT脚电压升至比SW高的电压，维持上管MOS导通的状态。有时候自举电容的回路也会串联一颗电阻，这颗电阻和电容串联就构成了RC充电电路。这个电阻的大小决定了上管MOS的开关速度。电阻越大，上管MOS开通的就越慢，这个时候SW上的尖峰就越小，EMI特性更好。电阻越小，MOS管开的越快，SW上的尖峰就越大。所以不管推荐电路有没有这颗电阻，我们在电路设计时都可以预留，在实际调试时，可以根据实际情况适当调整电阻阻值，一般在0~10Ω。
3、CBOOT取值
工作中，这个容值我们更多是按照参考设计来的，一般为0.1uF，有些芯片会推荐0.01uF，至于为什么是0.1uF/0.01uF。说实话，我也没有仔细研究过，最好按照参考手册来设计。
如果有清楚计算的大佬，可以帮忙指点一下。
王工最后再啰嗦几句，自举电容的关键在于利用了电容两端的电压不能突变，为什么这样说？
有一个公式如下（至于怎么推导的，感兴趣可以尝试一下，这里不细说了）
从公式可以看出：电容上的电流和电压的变化量是呈正比的，或者说电容上电压的变化量和电流是呈正比的。
我们反推，如果电容的电压可以突变，那就需要无穷大的电流，但是实际中并不存在无穷大的电流，所以电容两端电压不能突变。
也可以更形象一点来比喻，我们常常用水来比喻电容。假如你倒一杯水，你倒水的速度再快，水杯里的水也是一点点加满的，而不是瞬间就加满的对吧，这就像电容的充电过程，电压的增加是随着电荷的积累而逐渐发生的，也是需要时间的，所以电容两端的电压不能突变。
好吧，王工讲的有点啰嗦，不知道你懂了没有，今天就到这里吧。