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详解MLCC陶瓷电容用于静电ESD保护的电路选型与计算

前言

静电放电 (ESD) 是一种持续时间非常短的不受控制的高压尖峰,初中就学过的关于ESD的一个常见例子是人走过地毯时,地毯上会积累电荷,也就是摩擦生电,又或者冬天我们摸门把手会被电到也是静电在作妖。ESD电压峰值可达数万伏,这么高的电压,可能会对电路造成严重损坏,特别是当前半导体发展的规律是符合摩尔定律的预测,晶体管尺寸越来越小,耐压越来越低,随之而来ESD防护也是重中之重。

我们常规用于ESD防护的器件一般有电容,TVS二极管,压敏电阻等,今天详细介绍一下MLCC陶瓷电容用于ESD保护电路时,详细的选型过程。

选型过程

1.ESD标准

IEC 61000-4-2:国际电工委员会(IEC)发布的一项国际标准,规定了静电放电(ESD)抗扰度的测试方法。该标准适用于电子电气设备、部件和组件,包括家用电器、工业控制设备、信息技术设备等。

GB/T 17626.2:这是中国国家标准,你可以理解成等同于IEC 61000-4-2就行。

ANSI/ESD S20.20:这是美国国家标准学会(ANSI)发布的一项标准,规定了静电控制程序和要求。该标准适用于电子工业,包括电子设备制造、测试、运输和存储等环节。

ISO 10605:这是国际标准化组织(ISO)发布的一项国际标准,规定了静电放电(ESD)测试方法。该标准适用于各种材料和产品的ESD测试。

用的比较多的就是第一个IEC的标准IEC 61000-4-2,在本公众号内回复:ESD标准,即可得到IEC 61000-4-2标准PDF全文,IEC定义的静电放电模型如下:

2.选型计算

使用电容进行ESD防护的理论基础是电荷守恒定律。我们可以把静电源理解成一个储存了大量电荷的电容,当IC和储存了电荷且电压较高电容并联时,过高的电压会击穿IC,但是如果我们在IC之前再加一个保护电容,由于电容电压不能突变,储存了电荷且电压较高电容就会先向保护电容放电,那么会放多少电呢?这里就用到电荷守恒定律了。

以上图为例,Cx电容两端的电压就等于:

从这个公式可以看出Cx上的电压有多大,取决于Cx电容和Co电容的比值,也就是说Cx电容越大,Vx电压就越小,那么我们的IC也就越安全。假定,Co=1nF,Cx=99nF,ESD放电峰值电压8KV,那么Vx电压最大为80V,这就意味着在端口放置99nF的电容能将8kV的静电电压削减到80V,如果想更低,那么加大电容量即可,但是需要注意加大电容量对于高频信号线通信速率会有影响。

但是电容容量会受到很多因素影响,比如直流电压降额,交流电压降额,温度等因素影响,可以参考这篇文章的说明:硬件工程师面试遇到的难题,电容容值的worse case你会计算吗。所以我们需要确保电容容值不能太大影响通信速率,也不能太小,导致保护电压过高。

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