01、MOS管开通过程
图1：MOS管开通过程时序图
第一阶段（t0-t1)
VGS从0到VTH：绝大部分电流给CGS充电，微小电流流过CGD;VGS增大VGD微降，漏极的电压及电流不变，也称为开通准备（Turn On Delay）。
第二阶段（t1-t2)
VGS从VTH到V miller:此过程MOS管开始导通，MOS流过的电流与VGS呈线性关系，VGS继续增大，VGD微降，保持开通准备状态；漏极电压依然不变，但漏极电流开始增加直到所有电流全部流向MOS管（体二极管截止），到达米勒平台处。
第三阶段（t2-t3)
VGS=V miller:因VDS开始下降，所有从驱动源获得的驱动电流全部提供给CGD放电来促进VDS减小促始VGS恒定在一个值，俗称米勒平台，漏极电流保持恒定。
第四阶段（t3-t4)
VGS从V miller到最终的驱动电压:G极电流始终给CGS和CGD充电，增强导通沟道的过程；VGS的大小影响导通电阻的大小，VDS随着VGS的增大略微减小。
图2：MOS管开通过程时序图（实测）
02、MOS管关断过程
图3：MOS管关断过程时序图
第一阶段（t0-t1)
VGS从最终驱动电压到V miller：G极电流由CISS自供，给CGS充电，微小电流流过CGD;随着VGS降低，漏极电压轻微增大，电流不变，叫关断准备状态（Turn Off Delay）。
第二阶段（t1-t2)
VGS=V miller:VDS由ID*RDSON上升到VDS（off）,驱动电流全部由CGD充电提供，促始VGS恒定在一个值，俗称米勒平台，漏极电流保护恒定；直到电流开始部分流向负载。（体二极管导通）
第三阶段（t2-t3)
VGS从V miller到VTH:此过程MOS管开始关断，MOS管流过电流与VGS呈线性关系，G极电流主要由CDS放电提供，此区域为线性区，随着VGS减小，漏极电流减小直到为零，漏极电压VDS(OFF)不变。
第四阶段（t3-t4)
VGS从VTH到零：G极电流主要由CGS放电提供，与第三阶段一致，VGS增大VGD微降，漏极电压及电流不变。
图4：MOS管关断过程时序图（实测）