AEC-Q100最新的版本是Rev_J，刚刚发布于2023年8月，因为之前本人翻译了Rev H版本，借此机会也开始进行J版本的更新翻译。
AEC Q100 Rev J版本的封面
全文翻译工作正在进行，完成后会发布出来，如下是先对版本变化内容点进行的更新总结翻译内容：
AEC Q100 Rev J版本变更内容汇总
本部分简要描述了AEC-Q100 Rev-J文档与之前的文档版本AEC-Q100 Rev-H(2014年9月11日)相比所做的更改。标点符号和文本内容的完善改进不包括在这个摘要中。
下文格式为：章节 – 变更内容
1.2.1 – 车规参考文件: 增加了对AEC-Q006, SAE J1879和IATF 16949的参考;在参考清单中增加了AEC-Q100子规范以进行澄清
1.2.3 - 工业规范参考文件: 增加了对J-STD-002, JESD94, JESD671, JEP155, JEP157, JEP178的参考
1.2.4 - 对已经作废文件的标注: 删除这部分内容
1.3.1 - AEC-Q100的资质认证声明: ESD等级报告适应要求的指南
新增1.3.6 – Flip-Chip倒装芯片球栅阵列(FC-BGA)封装配置: 增加了FC-BGA的新定义
新增图1 - 倒装芯片BGA封装配置说明: 增加了说明FC-BGA的图片
新增2.3 - 客户特定的生命周期要求(任务剖面): 在文档的正文中添加新章节来定义附录7切入点
3.3 – 认证和再认证的标准: 明确包括初始认证
新增3.6 - 使用铜(Cu)线互连的器件认证: 增加了使用铜线的器件认证章节
4.3 – 老化可靠性试验: 增加了技术认证建议
图3: 更新以适应表2中的变化点
表2 –认证试验方法:
o列注: 在对应的测试项目中增加注F、C、W
o测试A1: 增加开盖检测要求
o测试A2: 增加了临时/中间测试时的温度要求
o测试A3: 增加了对UHST的优先选择
o测试A4: 更改0级的要求增加了对开盖检测可用性的要求
o测试A5: 重新制定触发标准，以有效识别适用该测试项目的产品
o测试B1: 增加替代测试序列，增加数据漂移分析要求
o测试C3: 澄清了J-STD-002的应用
o增加了新的测试C7 (BST – 凸块剪切测试)
o测试E2: 增加高级CMOS节点的验收标准
o测试E3: 增加高级CMOS节点的验收标准
o表2图例: 增加了注C参考铜线器件，注F用于FC-BGA器件特定测试，注W用于未在模具中覆盖绑线的器件
表3 -工艺变更时选择对应认证实验的指南:
o增加了新的测试C7 (BST –凸块剪切测试)
o增加了新的晶圆凸块部分和工艺变更项目重新分配层，凸块金属，凸块材料和凸块场地转移
附录1 - 产品认证家族的定义: 完整修订
A1.3 -装配工艺:增加FC-BGA的参考
附录2 - Q100设计、实施和资质认证
增加了新的12a部分- 晶圆凸块和子项UBM堆叠和厚度，UBM尺寸，凸块尺寸和凸块材料
附录模板4A - AEC-Q100认证测试计划:
根据表2的更改进行重新制作
附录模板4B - AEC-Q100通用数据:
根据表2的更改进行重新制作
附录7
新的流程图描述，为读者提供更清晰的信息
表A7.1: 澄清这是一个计算例子，并非此处所述的标准条件
如上就是对AEC Q100 Rev J最新版文件变化点的整理和内容翻译。
AEC官方链接：http://www.aecouncil.com/AECDocuments.html
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