硬件那点事儿
认证:优质创作者
作者动态
一张图搞定三级管六大典型电路
4小时前
LDO规格书写着额定电流100mA,那它真能输出100mA的电流吗?1800字搞定它
5小时前
MOSFET关断过程中的开关损耗如何计算?800字手把手教你搞定这个电路知识点
1天前
用于ESD防护的电容应该怎么选型?围观一下国外技术论坛老外们的选型讨论吧
2天前
运算放大器并联可以降低电路整体噪声?
3天前

晶振的偏差有哪些影响因素?晶振的偏差如何转化成时间的偏差?1200字搞定这个电路知识点

Part 01 前言

晶振作为电子系统的时间基石,其频率偏差直接决定了产品的“准头”。生产偏差、温度偏差和老化是影响晶振性能的主要因素,规格书中通常会列出这些参数的影响。咱们今天就来逐一剖析这三者的影响,算算它们如何把时间搞偏,再聊聊选型时的实战经验。

Part 02 影响因素

1.生产偏差:出厂自带的小误差生产偏差是晶振在制造过程中不可避免的“先天缺陷”,源于晶体切割精度、材料一致性等因素。生产偏差英文叫Initial Frequency Tolerance,中文规格书中以初始频率容差标示,单位通常是±PPM。

以RTC为例,假设用一颗32.768kHz晶振,初始频率容差±20PPM:

频率偏差=32768Hz×20÷1000000=±0.65536Hz

一天86400秒,时间偏差=0.65536×86400÷32768≈±1.73秒/天

如果是MCU用的高频晶振,比如16MHz晶振,初始频率容差为±15PPM:

频率偏差=16000000Hz×15÷1000000=±240Hz

时间偏差=240×86400÷16000000≈±1.3秒/天

这部分偏差是你一开机就得面对的“宿命”。对于低功耗蓝牙BLE这种总偏差要求小于±40PPM的应用,初始偏差占大头,后续设计得留足余量。预算宽裕就上±10PPM的高精度晶振,误差小,稳定性强;若成本敏感,±20PPM是主流选择,性价比高,但得靠电路设计补短板。

2.温度偏差:环境变化的“捣蛋鬼”

晶振的频率会随温度漂移,尤其是AT切型晶振,温度特性呈抛物线,25°C附近最稳定,高低温时偏差放大。规格书中以温度频率容差Frequency Tolerance over Temperature给出,比如±20PPM(-40°C至85°C)。比如下图中不同温度范围,晶振的频率偏差是不同的,温度范围越大,晶振的频率偏差就越大:

当然不同规格书,对于温度影响表示方法不同,上图中是直接给出对应温度范围内的频率偏差(注意上图中红框内已经包含了晶振制造的初始生产偏差),有些规格书会给出温度每变化1°C,对应的频率偏差比如下图:

举个例子,还是32.768kHz晶振,温度系数是±0.035PPM/°C,从25°C升到60°C,温差35°C:

偏差=0.035×35≈42.875PPM

频率偏移=32768Hz×42.875÷1000000≈1.405Hz

时间偏差=1.405×86400÷32768≈3.7秒/天

普通环境用±20PPM的AT切型晶振就行,成本低,苛刻场景如车载或工业对时间精度要求高的,考虑用温度补偿晶振TCXO,偏差能压到±2PPM,价格贵点但值回这个价。

3. 老化偏差:时间磨出的“慢性病”

晶振用久了,内部晶体结构会微调,频率随之漂移。规格书中以第一年老化率Aging Rate标示,如±3PPM/年,后续逐年递减。

比如RTC 32.768kHz晶振,首年老化±3PPM:

频率偏移=32768Hz×3÷1000000=0.0983Hz

时间偏差=0.0983×86400÷32768≈0.26秒/天

一年累积=0.26×365≈95秒

短期看老化影响小,但长寿命设备如工业仪表得算好累积效应。

Part 03 总结

规格书中的总偏差是三者叠加。例如:

生产偏差:±20PPM

温度偏差:±20PPM

第一年老化:±3PPM

总偏差:±43PPM

32.768kHz为例计算总影响:

频率偏移=32768Hz×43÷1000000≈1.41Hz

时间偏差=1.41×86400÷32768≈3.71秒/天

对于BLE的±40PPM红线要求,43PPM超标,通信可能不稳,RTC场景下,3.71秒/天还能凑合,但得看用户能不能接受。

晶振偏差这事儿,生产、温度、老化三管齐下,算清楚每项影响,才能让时间不跑偏。选型时别一味追求高大上,合适最重要。账算明白了,设计自然稳。

声明:本内容为作者独立观点,不代表电子星球立场。未经允许不得转载。授权事宜与稿件投诉,请联系:editor@netbroad.com
觉得内容不错的朋友,别忘了一键三连哦!
赞 2
收藏 2
关注 125
成为作者 赚取收益
全部留言
0/200
成为第一个和作者交流的人吧