本节讨论级联型GaN工作原理，欢迎熟悉工作特性的朋友一起交流。
目前单体GaN耐压十分有限，普遍做到200V，那么高压领域该如何解决呢？随之级联型高压GaN结构提出，解决了高压领域的应用问题，目前可以达到900V。最具有代表的是Transphorm公司产品。
级联结构是利用低压MOS和耗尽型GaN进行级联，形成可以耐高压的器件。
图1 级联器件等效模型
图2 输出伏安特性
那么为什么低压Si MOS和常开型GaN级联后就形成了耐高压的器件呢？目前也有一些论文在研究级联型GaN，但很少讲述其工作特性。下面分享一篇论文中关于级联型GaN的工作特性分析。这是偶然间发现的文章，感觉讲的挺详细，在这里分享给大家。
上述过程详细分析了级联GaN的工作特性，但是在Vds夹高压时，Vgs=0时，器件正向阻断特性是如何分析的呢（黄色标记部分）？这里还是有一些模糊。如果对本部分感兴趣的朋友，可以一起讨论啊！
【参考文献】
Cascode型GaN功率器件的开关过程及损耗分析
需要阅读全文的朋友可以自行下载文章研究。欢迎大家留言讨论，或者发现更详细讲述级联GaN的资料一起分享学习。