本章和大家一起来看下残压该计算以及低残压的解决方案是什么。
耐压测试示意图
原副边打耐压3750V时，CY1和CY2的分压应小于GD2的耐压（1500Vac或1850Vac），否则GD2会打火，耐压测试不过；
所以需计算原副边对地Y电容的比例，并考虑误差（不容忽视PCB板（尤其是光源板）对PE的寄生电容）；
残压计算：
VGY=(VGDT_max+Vcm*0.1/1.2)*CY201/(CY301+CGY+ CY201)
假设Cgy=0：
VGY=(3000*1.2+6000*0.1/1.2)*2.2/(3.3+0+ 2.2)=1640V
实际Cgy（对地结电容）较大，残压肯定更小。
1，GDT的电压选择：VR1A < GDT1 < (VR2+VR3)（需考虑公差）
2，保证两个共模MOV的串联电压最高，否则若让其先导通流过差模电流，会炸机；
3、第二级采用高精度、反应快的器件（TVS），较低电压，先导通，残压低。但通流量不够；
4、退耦器件阻挡大能量的冲击，保护第二级器件，把前面的电压抬高；同时把电压上升沿放缓，给第二级电路以充分的反应时间，所以第二级也可用尺寸小的MOV；
5、MOV和GDT的串联后导通，吸收大部分的能量，包括退耦电感的储能；
6、退耦电感使用空心电感即可，感量不需多大。