各位朋友大家好！周末悄然而至，你的周末又在加班吗？话不多说，今天和大家谈论一下功率半导体器件驱动的事情。由于水平有限，如有错误还需大家多多包涵。
驱动电路有许多种，不同的应用场景驱动电路也各有不同，多数情况下，我们获取知识的途径是知网，我们看看，目前学者们对驱动电路的研究现状。首先打开知网首页，在搜索框中选择关键词，输入“驱动电路”，来看看结果。一下子搜索出了5000多条信息。
现在第三代宽禁带半导体器件的快速发展，可以突破Si器件的极限，那么宽禁带功率器件有诸多的优点，如：开关频率高、导通电阻小、寄生参数小等优势。驱动电路的性能要求也在逐渐的提高。下面看看，SiC驱动电路的研究。搜索发现，对宽禁带半导体的研究也非常多，这里就不一一罗列介绍，有兴趣的朋友可以自行查阅。
这里主要跟大家谈谈，开关器件的仿真问题。功率器件开关过程分析起来比较复杂，通常实际情况我们往往做了简化，尤其是在仿真软件中，所有的器件都是理想器件，没有寄生参数，那么如果仿真中不考虑这些参数，那么我们的仿真结果就很难与实际结果相一致，这里举个例子吧，之前学习中从来就没有注意过功率器件的开关过程，只是简单的把开关比作为平时所见的开关。其实功率半导体器件开关过程中有许多的学问，比如密勒平台电压是怎么形成的？桥臂串扰如何产生的，又该如何抑制？如何减小驱动电路的功率损耗？等等。之前在仿真的时候从来就没有考虑过寄生参数，前段时间注意到了这个问题，仿真过程中加入了寄生参数，仿真结果发生了明显的改变。下面就分享一个MOS器件1MHz驱动仿真实验，利用仿真软件分别搭建了输入200V，输出400V、2.5A的Boost变换器。重点来看看驱动波形。开关管寄生电容全部考虑，这里驱动电路采用谐振驱动方式。密勒电容Cgd=80pF，仿真结果如下：
图中第一个波形是开关管驱动波形，第二个为输出功率波形，与输出电压相同，只是数值不同。实验中，通过改变Cgd数值发现，平台持续时间也会随之改变。至于具体怎么变化，怎么影响，有兴趣的朋友可以自行研究或讨论。高频驱动中，如果驱动电路不做特殊考虑，那么电路的串扰也是一个十分重要的问题。
驱动电路输入电容Ciss和电路阻抗过大，在关断过程中会造成图中现象，导致开关管误导通。加入串扰抑制电路后，可以很好的解决。
加入抑制电路后，可以看到上述现象得到解决。
下面再来看看软开关Boost变换器中的功率开关管的仿真波形，参数条件和上述案例相同。
1Mhz时，不考虑驱动电路串扰抑制。
图中可以看出驱动电路不满足驱动要求，如果改变参数，驱动电路的干扰会发生不同的变化。加入串扰抑制电路后，仿真结果如下。
图中为开关管驱动波形和输出电压波形。
图中为谐振电感电流和电压波形。
串扰问题得到了很好的解决。
仿真中发现，软开关Boost变化器，开关管驱动波形中没有了平台电压，这是由于什么原因造成的呢？这点十分困惑，哪位热心朋友可以帮助解答？