电源输出禁用电路包括带有附加电容的串联通路开关，以减少串联通路开关的开启电流尖峰。
描述：
为了满足严格的待机功耗规范，当待机信号有效时，电源可能会断开其输出。 通常，这是通过关闭串联双极结晶体管 (BJT) 或 MOSFET 来实现的。 对于较低的电流输出，BJT 是 MOSFET 的可行替代方案，因为 BJT 的成本较低。 只要在电源变压器的设计中考虑到 BJT 的额外压降，就可以使用 BJT。
图 1. 软启动电路在待机期间禁用电源输出，同时降低晶体管 Q1 传导的开启电流尖峰。
图 1 显示了一个用于 12 V、100 mA 输出的简单 BJT 系列通路开关，它具有显着的电容 CLOAD。 三极管Q1是串联通路元件，三极管Q2根据待机信号的状态开启和关闭三极管Q1。 电阻器 R1 的大小使得晶体管 Q1 的基极电流足以保证它在最小 beta 和最大输出电流下工作在饱和状态。 附加电容器 CNEW 可调节晶体管 Q1 导通时的瞬态电流。 如果没有 CNEW，Q1 会非常迅速地接通到容性负载 CLOAD 并传导大量电流尖峰。 晶体管 Q1 需要加大尺寸以适应这种瞬态尖峰，从而增加成本。
电容 CNEW 充当晶体管 Q1 的附加“米勒电容”，电容 CNEW 消除了瞬态电流尖峰。 额外的电容 CNEW 限制了晶体管 Q1 集电极的 dv/dt。 较低的 dv/dt 会导致电容 CLOAD 的充电电流较低。 可以选择 CNEW 的电容，使得晶体管 Q1 的所需输出 dv/dt 乘以电容 CNEW 的值将等于流入电阻器 R1 的电流。