在DCDC领域，最为常见的是buck拓扑，其次是boost拓扑，而buck-boost的关注度相对较低。但是在电池供电场景日益普及的现在，升降压的需求在不断上升，现在更加关注buck-boost这个拓扑。而在所有buck-boost拓扑中，四开关buck-boost最受欢迎。
四开关buck-boost的拓扑很简单，如下图。
它的最大好处是可以实现正压对正压的升降压。但是对于这样一种拓扑，有多种控制方式。
一种是，对角导通方式。其逻辑是，对角线上的MOSFET，比如Q1和Q3是一对，Q2和Q4一对，是同时导通同时关断的。
那就是Q1和Q3同时工作，Q2和Q4同时工作。并且两组MOS交替导通，如上图。
如果把Q2和Q4换成二极管，那么也是同样能工作，只不过没有同步整流而已。
对于这种控制方式，在CCM情况下我们可以得到公式：
Vin*D=Vout（1-D）也就是说，Vout=Vin*D/(1-D). 这个电压转换比和我们常见的buck-boost是一样的。
只不过常见的buck-boost的输出电压是负压，而四开关输出的是正压。
但是这种控制方式的优点是简单，没有模态切换。但是缺点是，四个管子都在一直工作，损耗大，共模噪音也大。
基于这种传统控制方式的缺点。为了提供销量和降低噪音，就演化出了第二种控制方式，就是模式切换控制方式。
如果把四管中的Q4保持常通，Q3保持常闭。只有Q1和Q2在 不停的开关，那么这个就是典型的buck电路。
如果把四管中的Q1保持常通，Q2保持常闭。只有Q3和Q4在不停的开关，那么就是典型的boost电路。
所以这个四开关buck-boost实际上是两个基本拓扑buck和boost的组合。完全可以通过控制方式来切换这两个拓扑。
比如Vin>Vout的时候，工作在buck模式，而当Vin<Vout的时候工作在boost模式。这样就可以明显提高效率。
但是问题在于，当Vin接近Vout的时候，采用怎么样的控制方式？Vin接近Vout的时候，通常是采用四个开关一起工作的方式，也就是buck-boost模式。也就是说这个拓扑基本上有三种模态：
Vin>Vout: buck
Vin=Vout( 约等于）： buck-boost
Vin<Vout: boost
随着输入电压的波动，电路会在三个模态之间切换。但是这里最大的问题是从一个模态切换到另外一个模态的时候，如何减少模态切换带来的动态响应问题。
从buck过渡到buck-boost，再过渡到boost的时候，如何做到无缝切换？
接下来，我来介绍其中一种的控制逻辑。
先假设输出为固定的12V，输入假设为一个电池，充满电电压为16V，放电结束电压为8V。
那么从输入16V开始，此时的工作状态显然是BUCK
那么四个管子的驱动信号如下图
那么当输入电池电压逐渐开始降低，M1的占空比也逐渐开始增大，而M2的占空比开始减小。
此时M2的占空比是个关键的参数。
因为IC内部对M2的脉宽有个最小设定，假如说是200ns。
那么现在假设输入电压掉到12.5V，而M2的脉宽也收缩到了200ns。IC内部的逻辑电路就认为到了模态切换的时候了。
此时发生的变化是，M3和M4两个管子不再是常关和常通的状态，而是开始开关了。
如果我们把上图进行分解，就会发现一个有趣的现象，就是
在一个clock周期里面，前半周期是buck，后半周期是boost
这个时候boost切进去的时候，M3是以最小占空比切入的，而且该占空比不可调。
此时M2的占空比则会从最小突然展宽以抵消boost模特切入的影响。在这个时候，输出会产生一个动态效应。
那么当输入继续下降的时候，M2的占空比会继续减小。
那么当M2再度回到最小占空比的时候，IC内部逻辑电路会认为模态需要再次转换了。
此时，M2将固定在最小占空比，而M3则开始跳出最小占空比，可以逐渐展宽。理论上来说，这个过渡应该是完全无缝的切换，
但是由于最小占空比的存在，也会对输出造成一种动态效应。
这个时候，变成了前半周期是boost，后半周期是buck。
同样，当输入电压继续降低的时候，电路会切入完全的boost模态。
这个是基本的控制逻辑，当然现在有很多的IC采用了一些改进的方式来控制模式切换。比如有些IC采用一个周期buck，一个周期boost的方式，而不是半个周期buck，半个周期boost。这样可以有效降低buck-boost模式下的开关损耗。在比如在buck-boost模式下，让buck和boost的占空比都可以调，来改善动态。
总之，四开关buck-boost 的控制方式在不断改进之中，最求更完善的模式切换和更高的效率。同时，由于四开关buck-boost完美对称的结构，在双向DCDC的应用中也广受欢迎，是一种很有应用前途的拓扑。