LTspice 教程解释了有两种不同类型的 SPICE 模型：由简单的 .MODEL 语句定义的和由更复杂的 .SUBCKT 语句定义的。.MODEL 语句定义了简单的组件，例如二极管、晶体管、MOSFET 等，其中包含 SPICE 程序编写者提供给我们的预定义特性列表。运算放大器、比较器等更深奥的组件由更通用的 .SUBCKT 模型定义。
最初创建 SPICE（不是 LTspice）时，程序员为用户提供了特定数量的特性来定义某些组件。对于 MOSFET，这包括栅极源极开启电压、跨导、栅极电阻、源极和漏极连接等。这些被称为 1 级参数并定义了 MOSFET 最重要的参数。在后来的几年里，MOSFET 制造商希望进一步表征他们的 MOSFET，而不受 SPICE 作者提供给他们的固定参数列表的限制。因此，他们转向 .SUBCKT 定义以允许他们扩展参数列表。这些被称为 2 级和 3 级参数，描述了 MOSFET 的原始 SPICE 定义中未定义的 MOSFET 特性。然而，为了使模型更加复杂，他们减慢了 MOSFET 的仿真时间。
因此，LTspice 使用更简单的 .MODEL 语句来定义 MOSFET 的特性。如果使用第 3 方 MOSFET 模型导致仿真性能非常慢，这可能是因为该模型是使用 .SUBCKT 模型定义的，并且包含许多在了解电路性能时不需要的参数。
要创建给定 MOSFET 的 LTspice 模型，您需要原始数据表和该 MOSFET 的 pSPICE 模型。
在 LTspice 中定义 MOSFET 所需的参数如下：
Rg 栅极欧姆电阻 Rd 漏极欧姆电阻（这不是 RDSon，而是键合线的电阻） Rs 源极欧姆电阻。 Vto 零偏置阈值电压。 Kp – 跨导系数 Lambda 漏电流随 Vds 的变化 Cgdmax 最大栅漏电容。 Cgdmin 最小栅漏电容。 Cgs 栅极到源极电容。 Cjo 寄生二极管电容。 是寄生二极管饱和电流。 Rb 体二极管电阻。
Rg、Rd 和 Rs 是将管芯连接到封装的键合线的电阻。
Vto 是 MOSFET 的开启电压。
Kp 是 MOSFET 的跨导。这决定了在给定栅源电压下流过的漏电流。
Lambda 是漏极电流随漏源电压的变化，与 Kp 一起用于确定 RDSon。
Cgdmax 和 Cgdmin 是栅极漏极电容的最小值和最大值，通常在 MOSFET 数据表中以 Crss 表示。电容器的电容与其极板之间的距离成反比。当MOSFET导通时，栅极与漏极导电沟道的距离等于绝缘栅氧化层的厚度（较小），因此栅极漏极电容较高。当 MOSFET 关断时，栅漏区较大，使得栅漏电容较低。这可以在Crss的图上看到。
Cgs 是栅源电容。尽管它会随栅源电压而略有变化，但 LTspice 假定它是恒定的。
Is 是寄生体二极管饱和电流。
Rb 是体二极管的串联电阻。
Fairchild FDS6680A MOSFET 在 LTspice 中被定义为
.model FDS6680A VDMOS(Rg=3 Rd=5m Rs=1m Vto=2.2 Kp=63 Cgdmax=2n Cgdmin=1n Cgs=1.9n Cjo=1n Is=2.3p Rb=6m mfg=Fairchild Vds=30 Ron=15m Qg =27n)
注意：LTspice 实际上忽略了特性 Vds、Ron 和 Qg。添加这些只是为了帮助用户比较 MOSFET。
因此，一个示例模板 MOSFET 模型是
.model XXXX VDMOS(Rg= Rd=5 Rs=1 Vto= Kp= Cgdmax= Cgdmin= Cgs= Cjo= Is= Rb= )
我们现在将为 Vishay 的 SUM75N06 和 SUM110N04 低导通电阻 MOSFET 构建 MOSFET 模型
SUM75N06 具有中等偏低的导通电阻和中等偏低的 Qg，因此适合作为同步降压转换器中的顶级 FET。SUM110N04 具有高 Qg 但导通电阻较低，因此适合作为同步降压转换器中的底部 FET（参见 降压转换器设计）。
最终的 SPICE 模型可以在这里下载： SUM75N06 LTspice 模型
最终的 SPICE 模型可以在这里下载： SUM110N04 LTspice 模型
然后可以使用这些测试夹具测试 SPICE 模型：
RDSon 测试治具（文末下载）
要测试 MOSFET 的 RDSON，请将模型导入 LTspice 测试电路。查看数据表以了解 RDSOn 是如何测试的。它将以一定的栅源电压和一定的漏电流为特征。
运行模拟。探测漏极电压。探测漏电流。编辑 Drain current 图标以读取V(drain)/Id(M1)。这会将轴之一更改为读取导通电阻。您可能需要稍微更改参数 Kp 以匹配数据表性能。
开关时间测试治具（文末下载）
要测试 MOSFET 的开关时间，请将模型导入 LTspice 测试电路。检查数据表以了解如何测试开关时间。它们将具有特定的栅极驱动电压、栅极驱动电阻和漏极电压，并且响应时间将在漏极电流斜升至特定水平时表征。
运行模拟。探测栅极电压。探测漏电流。放大栅极/漏极波形的上升沿。左键单击 Drain current 轴并重新调整轴以稍微测量当前所需的漏极电流。现在可以测量时间。上升时间通常在所需电压摆幅的 10% 至 90% 上测量。您可能需要稍微更改模型电容以满足数据表性能。