在本专辑第2篇文章的弥勒平台中，谈到了MOSFET的开启与关闭过程就是对其中的电荷进行充电和放电的过程，电荷量的多少直接影响了MOSFET开关速度。电容的值一般会取决于测量时所设置的电压和频率，所以相对与电荷来讲，电容的值就显得没有那么重要。但估计是为了辅助设计，很多供应商还是列出了电容的信息，如下图：
Ciss（输入电容）：栅极与其他两个端子（漏极和源极）之间的电容。
Coss（输出电容）：漏极与其他两个端子（栅极和源极）之间的电容。
Crss（反向传输电容）：漏极和源极间的电容。
那么对于MOSFET的等效模型，就会有下面的等式成立：
Ciss=Cgd+Cgs，Coss=Cgd+Cds，Crss=Cds
值得注意的是，虽然很多供应商都规定了电容值的测试频率为1MHz，但其他的测试条件却不尽相同，在元件选择横向比较时比较困难。值得庆幸的是，供应商同时也会给出电容曲线，如下图：
根据公式电容C=电荷Q/电压V， 随着电压的增大，电容值响应地有所下降。
综上所述，在真正的设计过程中会利用电荷量来计算评估开关时间，而不会用Ciss，Coss和Crss。这些电容信息只是可利用的不同MOSFET横向比较的参数。