本篇文章逐一介绍：1、延迟开启；2、快速泄放；3、精确泄放，三种RC延迟电路。先附上multisim链接，需要自取。

Multisim软件版本

附上multisim 14.0 网盘链接，内附PJ方法。

https://pan.baidu.com/s/15NvcyeKIgk-COlvoDIfz0A

提取码: dsmf

1.RC延迟电路

在许多芯片的应用手册中都要求了对上电时序进行控制，在这种场合下我们会经常看到RC延迟，今天我们通过multisim 14.0 对RC延迟计算电路的理论计算进行仿真验证。

   RC延迟上电计算公式

   充电公式：Ｔ＝-ＲＣln（（U-Uc）/U）

   放电公式： Ｔ= - R C ln（Uc/U）

   U为上电电压（电源电压）；Uc为电容充到T时刻的电压；T为充电时间。

再来补充一下我们更常用的RC延迟充放电经验公式↓

   RC延迟上电经验公式

   充电↓

 当t= RC时，电容电压Uc=0.63*电源电压U；

 当t= 2RC时，电容电压Uc=0.86*电源电压U；

 当t= 3RC时，电容电压Uc=0.95*电源电压U；

 当t= 4RC时，电容电压Uc=0.98*电源电压U；

 当t= 5RC时，电容电压Uc=0.99*电源电压U；

   放电↓

 当t=RC时，Vt=0.368*电源电压U；

 当t=2RC时，Vt=0.135424*电源电压U；

 当t=3RC时，Vt=0.04984*电源电压U；

 当t=4RC时，Vt=0.01834*电源电压U；

 当t=5RC时，Vt=0.006749*电源电压U ；

RC延迟仿真验证

   上电延迟验证↓

当充电到 0.8倍 VCC时，通过理论计算可知：t = RC*ln(0.2) = 16ms，和仿真结果基本相同。

下电延迟：

   下电延迟会和计算值相差比较大，这是因为当断电时有一部分放电电流通过三极管释放，所以无法通过准确计算预知。 如何解决这个问题？请看本文的最后一节：精确泄放的RC延迟电路

2.快速泄放的RC延迟电路

在电机控制等场合下我们要求三极管等开关器件关断速度要快，但是在应用RC上电延迟电路后，其关断时间也会延长，如下图所示，这是不行的。

所以引出我们的快速泄放的RC延迟电路↓

   快速泄放的RC延迟电路工作原理

相对于之前的电路，引入了D3、D2、Q2、R4。

↑当S1断开，此电路如何实现快速放电的呢？

由于D2的存在，C1中的电荷通过D2快速通向Q2的E，此时E级约为１１V；S１断开R４的存在使Q２的B为低，则Q２导通，则C１中的电荷通过D２、Q２快速泄放，泄放完毕后Q2、Q1均断开。

当S1闭合时，D3导通，此时Q2 B级为12V、E级为11.3V这保证了此时Q2处于未导通状态。电流通过D3和RC延迟电路使得Q1可正常导通。

我们来看一下结果（关断的延迟缩短为 1ms ）↓

通过验证结果可以看到已经达到了快速泄放的目的。

进一步的改进↓

在下图中 增加了稳压管D１，在C１充电到Ｖｚ之前，D１不会导通，只有在C１电压超过Vｚ时，Q１才会导通，这样会减少Q１开关过程中通过放大区的时间，减少不必要的开关损耗。

3.精确泄放的RC延迟电路

在某些场合需要精确控制下电时间，这时简单的RC就无法满足。

简单的加一个二极管就实现下电时间的精确控制，二极管正向导通，反向截至，所以电容上的电只会通过泄放电阻R2释放。（当开关使用三极管控制时，二极管阻断从三极管的放电回路，只通过R2放电，这就保证了下电的精确延迟！）

经验公式：达到下降至0.368Vcc时需要 T= RC = 66ms。

图片可以放大看，从仿真结果可以看出，放电和充电的时间与经验公式一致。

结束

今天介绍了RC延迟电路和与其配合使用的快速泄放、精确泄放电路。原理虽然不难但是在一些芯片上电时序控制、电机控制的场合下还是非常实用的。

另外，在实际的制作中还需要考虑所使用元器件的功耗、耐压值等参数，这些也需要认真取值（本篇文章侧重介绍了原理，元器件选型可参考我之前的文章：【一篇文章搞定阻容降压电路】 原理 + multisim 14.0仿真 参数计算-电源网 (dianyuan.com)）。

后续我将每周继续更新，文章中难免有疏漏，欢迎大家在评论区指正，谢谢！