关于MOS管的米勒效应，前面已经发了3篇：(点击标题可访问)

其中在《关于MOS管的米勒效应的疑问--求实锤》文章中提到，在进行米勒效应仿真时，发现在米勒平台期间漏极电流Id持续上升的问题，和米勒平台的理论有些冲突。针对该问题，还开展了答题送书的活动。之前说“让子弹飞一会儿”，现在子弹该命中目标了。下面我们重点讨论下这个问题。

1、一道问题

首先，我们重温下前面遇到的问题：如下图搭建仿真模型，仿真发现：Id在米勒平台期间仍在上升。在米勒平台结束时，漏极电流才达到最大值。另外在B站上找了老外的实测波形，与仿真结果一致。更换仿真软件，仿真结果也一致。但这与米勒效应的理论冲突。

①仿真模型：

②仿真结果

③米勒平台的理论波形（上面波形与此矛盾）

2、回答前文中的问题

所以在《关于MOS管的米勒效应的疑问--求实锤》(点击标题可直接访问)文章中提到的问题：如果MOS管处于米勒平台的区间内，MOS管工作在哪个区？

A：恒流区；

B：可变变阻区；

C：部分在恒流区，部分在可变电阻区；

D：截止区；

MOS管处在米勒平台期间，此时Vgs>Vth，Vds>Vgs-Vth。进一步讲，Vgd=Vgs-Vds<Vth，MOS管处于预夹断状态，注意此时导电沟道并没有被真的夹断，只是夹断缝隙变长，依然有电流Id存在。Vds增加的部分主要用于克服沟道的电阻，Id几乎不变。此时Id几乎仅仅取决于Vgs。

很明显，这道题的答案应该选择A，MOS管处于饱和区(恒流区)。在米勒平台期间，Vgs不变，相应Id也应该保持不变。所以，上面仿真出的结果与上述理论存在明显冲突。

难道，仿真有问题？

结论：仿真是没有问题的。

那问题出在哪里？

问题出在负载上。在此仿真电路模型中所使用的负载为阻性负载。

阻性负载有什么特点？电压和电流是同时变化的。在开关过程中，阻性负载两端不存在电流和电压变化的先后关系，是同相位变化的。

Id在平台期上升，可以用欧姆定律来解析，因为在米勒平台期间Vds在下降，Id=(Vdd-Vds)/Rload。而Vds下降是因为MOS在米勒平台期间在处于饱和状态，内部导电沟道状态在变化，进而使得MOS管的导通阻抗在变化。

怎么样？一个简短的问题，给出的回答可浅可深。我的助攻只能到这里，能否晋升到陆地神仙境，一剑开天门，就看你的造化了！

关注“硬件微讲堂”，硬件路上不慌张！