大家好，分享2020年在IEEE CIYCEE中国电气工程国际青年会议上发表的一篇关于大功率SiC MOSFET有源门极驱动的学术报告，该驱动可以有效抑制高速功率器件开关过程中由于杂感过大导致的电压尖峰及震荡问题，关断效果更为明显，希望能对大家有所启发。。。
一种大功率SiC MOSFET有源门极驱动
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