半桥驱动是典型的高压电路，而且上管是典型的浮管，高压浮管驱动需要低压控制，则通常需要电平移位技术。
电平移位，即我们在驱动IC里常见的“Level Shift”，其目的是通过电平移位电路将低压控制信号转换为高压控制信号，实现低压逻辑对高压功率输出级的控制，属于高压器件的控制技术领域。若以系统的参考地GND为0电平，常规的电平移位电路是将0～VDD（VDD为普通电平，也是低压供电电压）低电压控制信号转换为0～VB（VB为高压电平，这个电平是VS+VDD，上管开通则VS=VBUS，VBUS是母线电压）的高电压控制信号，用于驱动高压下工作的输出级PMOS管等。在该情况下，输出级PMOS管的最大栅-源电压为VB，为保证可靠性，必须使晶体管能够承受VB的高电压，通常采用增加栅氧厚度等一些复杂的工艺解决。
电平移位电路作为连接控制电路和输出驱动级的关键电路，一方面要求有很高的驱动能力，满足输出级的驱动要求；另一方面电平移位电路也是高电压工作，要求有比较低的静态电流，
从而降低功耗。
另一种传统的电平移位电路则更加简易，电路上也容易实现，在输出级PMOS上做了相应的保护措施，以防止栅-源间的栅氧化层击穿。该电路的缺点是，前级驱动PWM是一个持续的脉宽信号，当PWM为高电平时，LDMOS会持续通过电流，因此功耗较大，从图中可以看出，当上管开通时，VS=VBUS，则VB=VBUS+VDD。
为了解决功耗问题，采用边沿触发以减小导通时间，边沿脉冲是取自PWM信号的上升沿和下降沿来驱动前级的LDMOS，这样就大大减小了LDMOS的导通时间，极大地改善功耗问题，边沿脉冲信号通过RS触发器在后级还原为前级的PWM信号，目前的多数半桥驱动芯片均采用了这种技术。
特点：电平移位型驱动IC是非隔离型驱动IC，低压控制信号和热地或高压地相连接，共同参考GND，但其传输延时小，需要加光耦等隔离器件才能实现安全电气隔离。
电平移位技术主要是驱动半桥的浮动上管，这类电路以集成芯片IC存在，半桥驱动IC将低边和高边集成在一个IC中，高边驱动通过电平移位技术实现高压电平转换，从而驱动上管，栅极驱动器主要用于高边驱动（High -side）或者高低边（High-side and Low-side）一体驱动，高边需要自举电路来给高边开关管提供驱动功率，自举电路包含了反向截止的高压二极管以及存储电荷的自举电容。
如下是一种高边和低边一体的驱动IC，组成最简单的驱动电路包括了自举电路，可以看出当下管开通时，VCC通过自举二极管给自举电容充电，以形成浮动上管的驱动电源，自举电路其本质是通过开关方式将电荷转移到另外一个电容里面，使得电容作为供电电源。
如下是单一的高边驱动IC，高边驱动则必须附加自举电路。
如下图是高低边驱动的功能原理框图，可以看出下管是简单的对地驱动电路，上管驱动部分则是边沿脉冲式电平移位电路，而且中间增加了脉冲滤波电路（PULSE FILTER），增强抗干扰能力。
如下是另一种半桥驱动IC，输入控制信号只有一路IN，半桥中的上管和下管通过IC中自带的死区电路避免上管和下管直通问题，上管驱动依然边沿脉冲是电平移位实现上管驱动。
独立的高边驱动，如英飞凌的IRS10752（原属于国际整流器-IR），这里不再列出，可自行查看，以上驱动及内部框图来自英飞凌某些型号的驱动数据手册；目前这类驱动芯片已出现国产替代品，如 屹晶微的EG系列上海瞻芯电子、数明半导体等。