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光耦的重点参数-反向耐压和传输特征
(1)发光二极管反向电压“BVR”-Input Reverse Breakdown Voltage,光耦的发光二极管承受反压能力较弱,使用时必须注意,以下是来自于仙童的6N137M和HCPL2531的
2星期前
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功率模块IGBT和MOSFET的驱动设计及模组测试
光耦的重要参数-共模抑制
共模抑制能力“CMR”,英文为Common Mode Rejection ,由于驱动器另一侧(副边)是高压并且存在不断的开关动作,那么它就和低压侧(原边)构成共模信号路径,主要是高低压两侧的寄生电容构
09-01 13:12
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功率模块IGBT和MOSFET的驱动设计及模组测试
光耦重点参数介绍-爬电和电气间隙
(2)爬电距离和电气间隙,注意使用条件-海拔(通常都是海拔2000m,超过后要注意使用降额或增量系数),图示电气间隙和爬电距离,内部绝缘距离“DTI”是保证光耦在高压下工作的依据。以下表格是安华高的H
08-18 14:24
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功率模块IGBT和MOSFET的驱动设计及模组测试
光耦重点参数介绍-VIORM
(1)最大工作绝缘电压“VIORM”,英文为Maximum Working Insulation Voltage,是可靠工作的峰值电压,即长期工作耐压,注意和耐压的区别,是我们依据实际母线电压选择设计
08-16 22:14
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功率模块IGBT和MOSFET的驱动设计及模组测试
高速光耦和普通光耦的开关特性
高速数字光耦的开关特性,高速数字光耦或者我们所说的“开关光耦”,其主要特性就是开关特性,也就是开通和关断过程的时间特性,以下是数字光耦HCNW2611的开关特性测试示意图及参数,由于良好的开关特性要求
08-10 17:35
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功率模块IGBT和MOSFET的驱动设计及模组测试
TVS参数含义及选型参考
TVS参数含义及选型参考6.14 TVS二极管的选用雪崩器件(avalanche device),在规定电压击穿并导通的二极管、气体放电管或其它器件,这里的TVS二极管也是一种雪崩器件,依赖雪崩效应达
08-04 13:56
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功率模块IGBT和MOSFET的驱动设计及模组测试
传输信号光耦和专用光耦
信号传输型光耦,只是负责电气隔离传输信号,由于功能单一,通常需要和外围电路配合实现驱动需求,信号通道有单通道和多通道(多通道通常是双通道,也有4通道类型的光耦),如下图是单通道和双通道光耦原理示意图。
05-05 14:28
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功率模块IGBT和MOSFET的驱动设计及模组测试
常见光耦逻辑分类
正逻辑光耦(POSITIVE LOGIC),即当输入侧发光二极管发光时,输出侧输出高电平;而当输入侧发光二极管不发光时,输出保持低电平,这类光耦相对较少,典型的如安华高的HCNW2211。<
05-05 14:08
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功率模块IGBT和MOSFET的驱动设计及模组测试
普通光耦和高速光耦
通常是高增益光电探测器或光接收器(低电流可驱动,无需中间驱动,控制器可以直接驱动)多数采用“高速”或“数字”光耦,因为它其中一项指标便是数据传输率,以数据信号速率来衡量,可以轻松应用在信号通信中,如R
03-17 15:01
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变压器磁芯大小选择的AP法举例
变压器是由两个或两个以上的线圈组成的耦合元件,如果只有一个线圈,那么这就是我们常用的常规电感,如下图是电感和变压器原理示意图,它们是存在区别和联系的,最直观的联系是每个线圈绕制在磁芯上都具有电感的性质
2023-12-10 10:37
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