共模抑制能力“CMR”，英文为Common Mode Rejection ，由于驱动器另一侧（副边）是高压并且存在不断的开关动作，那么它就和低压侧（原边）构成共模信号路径，主要是高低压两侧的寄生电容构成的位移电流路径，所以必须强调光耦要满足一定的抗共模电压能力，否则信号传输会出现错误。
如下是来自安华高的光耦HCNW2611的共模抑制参数，参数说明是，在共模电压VCM=1kV情况下，共模抑制能力可以达到15kV/us，这个值是电压的变化率dv/dt，我们在测试双脉冲测试时，高压侧的电压变化率测试是必不可少的测试项，而通过这个参数我们也能进一步评估驱动的可靠性指标。
< HCNW2611共 模 电 压 参 数 >
CMH是共模电压的最大允许上升率“+dv/dt”，以确保输出保持在高逻辑状态。
CML是共模电压的最大允许下降率“-dv/dt”，以确保输出保持在低逻辑状态。
以下是HCNW2211和HCNW2611对共模电压的测试原理图，图中使用脉冲发生器模拟模拟电压进行测试。
< 光 耦 共 模 瞬 态 抗 扰 度 测 试 电 路 及 典 型 波 形 >
以下是依然是来自安华高的数据，可以看出各个型号的光耦具有的共模电压承受值。
< 光 耦 共 模 瞬 态 抗 扰 度 举 例 >