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光耦的重点参数-反向耐压和传输特征
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光耦的重点参数-反向耐压和传输特征

(1)发光二极管反向电压“BVR”-Input Reverse Breakdown Voltage,光耦的发光二极管承受反压能力较弱,使用时必须注意,以下是来自于仙童的6N137M和HCPL2531的数据,这就是为什么在某些应用中发光二极管两端会反并一个二极管,这个二极管用来箝位反向电压,如在交流过零检测电路中,反相半周中需要二极管需要箝位光耦发光二极管两端的电压。

< 光 耦 输 入 发 光 二 极 管 反 压 数 据 >

传输特征,Transfer Characteristic,高速数字光耦,通常不再标注电流传输比“CTR”,而是给出开通阈值电流或者门槛电流。

以下是亿光的6N137、安华高的HCNW2611和HCNW2211,关于门槛电流IFT的描述,这就是一个开关的行为。

< 高 速 开 关 光 耦 开 启 电 流 >

国外和台湾地区的光耦知名器件制造商:安华高(Avago)、博通(Broadcom)、仙童(Fairchild)、东芝(TOSHIBA)、亿光( EVERLIGHT)和光宝(LITEON)等。

它们推出的经典高速光耦:HCNW2611、HCNW2211、HCPL2631、6N137和6N137M等。

随着我们对器件需求量的增加以及采购成本压力,开始采用国内器件替代进口器件,国内(大陆)代表性的制造厂家有:奥伦德(Orient)、华润微电子(CR MICRO)和厦门华联电子,它们的高速光耦主要是6N13X系列,如6N135、6N136和6N137,奥伦德有双通道光耦,如OR-2631,可替代HCPL2631。

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