大家好，我是广元兄。很高兴和大家分享信号完整性的相关知识。希望大家点赞，分享。有什么问题加微交流学习，微信号【SI_Basic】。
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主流的仿真软件中，大概是在四五年前看到过这本书，也是了解Sigrity看的第一本书。
01
前面部分的基础知识，基础知识如反射，串扰，匹配等，和之前所说大体相同。简单说说两个知识点：
两个转折频率点分别对应1/πd和1/πtr（d是半周期，tr是边沿时间）
从1/πtr转折频率开始，频谱的谐波分量是按1/f^2下降的，也就是-40dB/dec（-40分贝每十倍频，即每增大十倍频率，谐波分量减小100倍）。
0.5/Tr 相对保守与严格，用于EMI工程方向，0.35/Tr 用于信号完整性互连的预估。
这个和先前《信号完整性分析与设计》书里给出的经验相符。但个人还是比较倾向于前文说的示波器对应转折点由来的说法。前文参考：从BW= 0.35/Tr 怎么推导来的说起
02
电源完整性设计原理与仿真相关基础理论，就现在来看也还是实用的。主要考量分析的方向的三个部分：频域（AC阻抗&平面谐振），时域（电源噪声），直流（IR Drop&电热混合）。
CMOS反相器给出电压波动的解释，一个是电源噪声，一个是地弹（多个器件I/O造成SSN）。
电流从VCC上端流入，流经上面第一个封装电感，经过开关A，经终端电阻后流入传输线。t2时刻，电流瞬间经过封装电感时，将在节点V1处出现电压噪声△V。开关B导通时，传输线、地平面、下面封装电感形成一个环路，t3时刻，当电流经过开关B瞬间，会在节点G1处产生地弹噪声△V。
在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作为漏极D和源极S。然后在漏极和源极之间的P型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅(Si02)绝缘层膜，在这个绝缘层膜上装上一个铝电极，作为栅极G。这就构成了一个N沟道(NPN型)增强型MOS管。显然它的栅极和其它电极间是绝缘的。
看到耦合电容容值范围部分，想起之前面试，有公司问过：PDN提取频率范围是多少？为什么有的选择在百兆之内？
文中除了给出电容装配形式的回路电感比较。还给出不同容值的谐振频率：电解电容容值470μF，自谐振频率232KHz，容值100nF，自谐振频率约为26MHz。
上图为某设计规范给出所用电源所需电容的推荐容值与个数，容值都是在470μF和100nF涵盖的范围之内。
所以才有芯片上的电容适用吉赫兹级别，封装上的电容适用兆赫兹级别，板级上的电容适用百兆之内，VRM适用于千赫兹，当然VRM还要保证输出电压纹波很小的输出电压，所以才有在VRM附近并联几个大容值电容。
还有个问题，需要再强调一下：
同容值电容并联自谐振频率点不变，阻抗（容性&感性）变小；
不同容值电容并联会出现反谐振点，阻抗总体会变小，这也是PDN出问题的常规手段，加不同容值的电容。
03
书中其他的部分，不管是XcitePI 提取芯片设计参数，还是PowerSI提取封装设计和PCB设计参数，分别提取每个部分模型，再用SystemSI建立一个仿真系统，书中大部分内容都是以实例来进行分析讲解。适合了解协同设计系统的层面信息，适合了解EDA软件构建理论信息。从系统的方向给你指路，这是一条理论到实践之路，一步一步看着是很慢，实际上是最快的。
此时想来，信号完整性的工作也在不断进化与更新。从最初严格遵照设计规范到有理论分析得到简单经验规则设计；从最简单的模块搭建到尝试SI/PI协同仿真；从消费类产品到高速产品，甚至于到各种不同信号产品；从单板的高速电路设计到芯片/封装/电路板多板的协同设计……
想起学生时代挂在墙上的一句话：不积硅步无以至千里。很长一段时间，都不知道这个硅 kuǐ怎么读。
所以，书还是得看，认真看。