本节分享一篇关于GaN器件驱动的论文。
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最近两年关于第三代半导体、宽禁带半导体、GaN/SiC之类的关键词出现的非常平凡，如今电力电子技术的瓶颈还是在器件，这也是现在研究的焦点。
半导体材料出现了第三代以氮化镓（ GaN）为代表的宽禁带半导体材料，其特点包括临界击穿电场高、饱和电子速度高、电子密度高、电子迁移率高及导热率高等，是一种适用于高频、高压、高温、大功率的抗辐射等级高的半导体材料。但是谁又真真正正的了解该种材料的器件特性呢？带着好奇，便搜索了大量论文来查阅。
文中提出了一种谐振驱动GaN电路，并给出了详细的分析过程，下面我们就来仔细研读。
首先发现问题，提出解决方法。
其次对实现方法做出了详细描述。
最后以Buck变换器验证了方法的可行性与优越性。实验过程可以详细阅读文献。这里不再赘述。
参考文献
[1] 低压氮化镓器件谐振驱动技术及其反向导通特性
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