SiC MOSFET短路特性及保护方法

2019年4月17日,第二届英飞凌碳化硅应用技术发展论坛暨光伏与储能论坛在上海顺利落幕。本次盛会上,英飞凌工业功率控制事业部的管理团队和技术专家与碳化硅产、学、研界的大咖,以及共创生态系统的合作伙伴齐聚一堂,共话碳化硅技术的发展前景、应用之道,并肩展望未来新能源发展趋势。

继节前我们推送了第一篇演讲PPT后收到了大家的热烈反馈,未来,我们将持续送出本次论坛的多篇干货资料。

第二篇:《固若金汤:SiC MOSFET短路特性及保护方法》

嘉宾介绍

英飞凌科技应用工程师、高级工程师赵佳

以下是官方演讲资料:

* 该演讲资料在“英飞凌工业半导体”公众号发表,其他平台未经同意不得转载。

声明:本内容为作者独立观点,不代表电子星球立场。未经允许不得转载。授权事宜与稿件投诉,请联系:editor@netbroad.com
觉得内容不错的朋友,别忘了一键三连哦!
赞 1
收藏 4
关注 434
成为作者 赚取收益
全部留言
0/200
成为第一个和作者交流的人吧