上期讲了一下常规推挽电路，以及其和射极跟随器的关系，感兴趣的可以点击下图跳转到上期内容。
本期的讲的是另一种形式的推挽电路。实现功能为，当PWM为高电平时，VOUT输出电平为低电平，关断MOS管Q3；当PWM为低电平时，VOUT输出高电平，打开MOS管Q3。电路图如下：
原理分析：当PWM为高电平时，三极管Q2截止，三极管Q1导通，MOS管Cgs电容通过二极管D1，以及三极管Q1快速放电。由于三极管Q1的导通，VOUT的电压会很快降低为Vce+Vd，从而实现MOS管的Vgs电容快速放电。其中Vce为三极管的饱和压降，Vd为二极管D1的正向导通压降。电流路径为下图：
当PWM为低电平时，三极管Q1截止，三极管Q2导通，三极管Q2相当于一个射极跟随器，为MOS管的Cgs电容充电，当Cgs电压充电到11.3V左右时，Cgs充电结束。电流路径如下图所示：
仿真电路如下，可以看到，这个仿真结果和分析结果保持一致。仿真为上图简化版：
那么这种电路的好处就是可以用低压（比如5V）去控制高电压（比如12V），而不像常规推挽输出，如果按照常规推挽输出，5V控制12V，那么输出结果会是0.7~4.3V的方波，例如下图：
