信号沿着动态线传输，不是时时刻刻发生耦合噪声到相邻静态线上，也就是说当电流或电压是一个常数，是不会产生耦合噪声的，只有电流dI/dt或电压dv/dt发生变化，也就是边沿跳变区域，才会产生耦合噪声。
虽然耦合噪声和信号边沿跳变有关，但是耦合到静态线的电流或电压的总量和上升边Tr无关，也就是说与dI/dt或dv/dt变化无关。
容性耦合注入到静态线上的电流公式：
感性耦合注入到静态线上的电压公式：
CmL/LmL是单位长度互容/互感， v表示信号传输速度，V表示信号电压， I 表示动态线上的电流
由上述公式可以看出，耦合噪声与互容/互感，信号电压和电流以及信号的传输速度这三个因素有关。
虽然上升边和耦合噪声总量无关，但是与耦合区域的长度有关。当信号进入耦合区域的时候，从攻击线耦合到静态线的噪声开始增大，一直增大到最大值，耦合噪声达到最大值所经过的空间区域长度，称之为饱和长度。
近端串扰的饱和长度
静态线上出现耦合噪声，先是从近端串扰的噪声开始，一直增大到信号上升边的一半，然后持续传输时延的两倍。近端串扰的饱和长度就是信号上升边一半时间的空间区域长度，公式如下：
假定上升时间为0.1ns，由传输时延得出信号传输速度为7.52 in/ns，计算得出饱和长度为376 mil。
搭建相关电路进行仿真验证：
仿真结果如下：
耦合区域长度小于饱和长度的时候，耦合噪声的幅值是逐渐增加的，一直增加到最大值。
饱和长度的影响因素
上升边时间
从饱和长度公式可以看出，影响近端串扰饱和的因素之一是信号的上升边，修改上升边时间，得出仿真波形如下：
仿真结果可以很直观地看出，上升边越长，饱和长度越长。100ps上升边信号的饱和长度为376mil，这说明近端串扰很容易饱和，但是饱和后，噪声幅值不会再增加。
线间距的不同
为了验证线间距对饱和长度影响，选择2W，3W和4W的三个类型来进行仿真对比，相关仿真的结果如下：
仿真结果表明：线间距越大，饱和长度越长。
表层和内层
从饱和长度可以看出，影响近端串扰饱和的因素除了信号的上升边，还有一个因素就是信号传输速度。前面内容都是基于微带线来进行仿真验证相关知识点，为了验证信号速度影响饱和长度，将信号的层面放入内层，用微带线来进行仿真。
上升时间还是为0.1ns，由传输时延得出信号传输速度为6.31 in/ns，计算得出饱和长度为316 mil。
仿真结果如下图：
仿真结果直观地显示，当耦合区域长度为316mil时，耦合噪声达到最大值，也就是说这个耦合区域长度为饱和长度。同样，计算得出表层和内层的饱和长度是不一样的。为了验证这一结果，将微带线和带状线的饱和长度放在一起，如下图，很直观地看到，曲线是完全重复的，内层的饱和长度是316mil，表层的饱和长度376mil。
总结来说，同样的上升边，因为信号层面的不同，信号传输速度不同，表层信号传输更快，而内层信号更容易饱和。