碳化硅（SiC MOSFET）和氮化镓(GaN)因其高频率、低损耗的特性得到广泛的应用，但对驱动系统的性能提出了更高的要求。英飞凌最新一代增强型EiceDRIVER™ 1ED34X1系列可提供高的输出电流、米勒钳位保护、精准的短路保护、可调的软关断等功能，为新一代的功率器件保驾护航。
EiceDRIVER™增强型1ED34X1主要特色：
- 单通道隔离型栅极驱动芯片
- 输出电流典型值+3/6/9A
- 功能绝缘电压高达2300V
- 带米勒钳位、Desat短路保护、软关断
- CMTI > 200kV/µs
- 输出侧电压供电区间（VCC2-VEE2）最大可到40V
- 隔离能力和相关认证：UL 1577 & VDE 0884-11
- 封装：DSO16 300 mil宽体封装8mm爬电距离适用于IGBTs,MOSFETs,CoolSiC™ SiC MOSFET
（更多关于增强型1ED34X1系列的特点及参数请参考阅读：IGBT驱动芯片进入可编程时代，英飞凌新品X3有何玄机？）
北京晶川电子基于1ED3491设计了一款适配于SiC MOSFET驱动板：2SID-1ED3X-62MM-1206D0
主要特色：
- 2路输出，适用于62mm封装半桥器件
- 高度集成的隔离电源
- 短路保护
- 欠压保护
- 米勒钳位
- 兼容5V/15V PWM信号
- 高级驱动IC：1ED3491MU12M
- 适配于：FF4MR12KM1H,1200V,4mΩ 62mm封装模块，FF2MR12KM1H,1200V,2mΩ 62mm封装模块
1ED34X1高输出电流能力有利于减少功率器件的开关损耗，并节约推挽电路成本
EiceDRIVER™ 1ED3491具有高达9A的输出电流典型值，在驱动大功率模块的时候可省去推挽电路实现节约成本、减少传播延时、提高开关速度，减少开关损耗。
我们通过双脉冲开关实验，对比了两种驱动方式的开关损耗：
- 测试板1：搭载1ED3491的驱动板2SID-1ED3X-62MM-1206D0
- 测试板2：搭载1ED020I12-F2（2A）及推挽元件IXDN609(9A)
- 模块型号：FF2MR12KM1H
- 驱动电压：+18V/-3.5V
- Vbus=600V Id=370A
CH2：下管Vgs、CH3：下管Vds
CH4：电流Id、CHm1：损耗
图1、1ED3491驱动模块损耗Eon=22.3mJ
图2、1ED3491驱动模块损耗Eoff=14.09mJ
图3、2A驱动IC+推挽驱动模块损耗Eon=24.6mJ
图4、2A驱动IC+推挽驱动模块损耗Eoff=15.2mJ
从测试结果可看出，使用1ED3491，比使用2A驱动+推挽的方式，开通损耗Eon降低了2.3mJ，降低大概9.3%。关断损耗Eoff降低了1.1mJ，降低大概7.2%。
1ED34X1米勒钳位抑制寄生导通，可外置MOSFET增强钳位能力
以下图为例展示米勒寄生导通产生的原因：在上管的开通时刻，下管关断，DS间电压上升，产生电压变化率dv/dt，dv/dt通过(Cgd)米勒电容向栅极注入电流。米勒电流跨越整体栅极路径使得下管栅极上出现电压尖峰。如果下管Vgs尖峰超过器件的Vgs(th)，则可能会发生半桥直通现象。低阈值电压的功率器件，如SiC MOSFET，更有可能受到此影响损坏。如下图5。更多米勒效应的解释及应对方法可参考：米勒电容、米勒效应和器件与系统设计对策
图5、米勒效应图解
1ED34X1系列集成米勒钳位功能。钳位方式分为两种。一种是直接钳位，例如1ED3431，即直接把clamp pin接到IGBT的门极。这种情况下钳位电流的典型值是2A，适用于100A以下的IGBT。
另一种方式是在clamp pin外接一个N-MOSFET，来扩展钳位电流，以适应更大电流IGBT的需求。例如1ED3461及1ED3491。根据外接NMOS型号的不同，钳位电流最大可扩展到20A。
驱动板2SID-1ED3X-62MM-1206D0在做SiC MOSFET双脉冲测试时，首先没有外接米勒钳位MOS，米勒效应引起了明显的门极电压过冲，如图6.1-2中CH1黄色通道红圈部分，Vgs尖峰2.08V， △V=5.58V。然后将1ED3491 CLAMPDRV脚外接5.4A MOS（PMV45EN），米勒钳位功能起到了立竿见影的效果，如图7.1-2中CH1黄色通道红圈部分，Vgs尖峰降为-1.26V，△v只有2.24V。
驱动电压：+18V/-3.5V
CH1：上管Vgs、CH2：下管Vgs
CH3：下管Vds、CH4：电流Id
未加米勒钳位测试的全图与展开波形图
加米勒钳位测试的全图与展开波形图
1ED34X1(clamp driver)Desat保护时间、软关断时间精确可调
由于SiC MOSFET器件短路耐受时间相对较短，CoolSiC™ MOSFET Easy封装模块在+15V驱动供电时，数据手册标称短路时间只有2us例如：FF17MR12W1M1H_B11。而62mm封装的CoolSiC™模块虽然没有标称短路时间，但仍然有一定的短路能力，这里我们使用62mm封装的模块来验证1ED3491的短路保护功能。
1ED34X1具有退饱和保护功能。以往短路保护消隐时间需要通过外接电容来实现，而1ED34X1系列则不需要外接电容，它通过ADJB引脚连接不同阻值的电阻可设置不同的消隐时间，共有16档可调，DESAT滤波时间tDESATfilter:1.6µs至4.0µs，Leading edge消隐时间tDESATleb:0.65µs至1.15µs。1ED34x1还具有在故障情况下软关断的功能。在器件出现过流故障的情况下，驱动芯片将会使用较低的电流关断IGBT，将会减慢IGBT的di/dt，避免出现过高的电压尖峰损坏IGBT。软关断的参数通过ADJA连接的电阻可调。系列中每一款芯片都有16档关断电流。
图8为当ADJA下拉电阻=10K、ADJB下拉电阻=100K的SiC短路波形，此时短路保护时间为1us，软关断时间为1.23us，能够满足SiC MOSFET 2us短路时间的苛刻要求。
CH1：Flt信号、CH2：下管Vgs、CH3：Desat信号
图8、短路保护时间1us+软关断时间1.23us
总结
得益于英飞凌驱动1ED3491做强大的后盾，晶川驱动板2SID-1ED3X-62MM-1206D0能出色的驱动和保护SiC MOSFET。1ED34X1系列驱动芯片9A的输出电流能力省钱又省力、Clamp防直通立竿见影、Desat快准稳、Soft-off轻松防过压、DSO16封装小驱动更紧凑。英飞凌X3系列是驱动SiC MOSFET和IGBT的不二之选。