MOS管动态参数指标包含：栅极总充电电荷（QG）、栅源充电电荷（QGS）、栅漏充电电荷（QGD）、跨导（Gm）、导通延迟时间（TDON）、关断延迟时间（TDOFF）、上升时间（TR）、下降时间（TF）

MOS管静态参数指标包含：漏-源击穿电压V(BR)DSS、开启电压VTH、漏-源饱和漏电流IDSS、栅-源驱动电流或反向电流IGSS、导通电阻RDS(on)、栅源击穿电压VGS。漏源击穿电压V(BR

01、问题现象描述某款产品在3米法电波暗室进行辐射（RE）发射测试时,发现多个频点余量不满足6dB管控要求，具体测试数据如下：图1：辐射发射测试数据02、问题原因分析通过频谱分析仪近场探头分析定位到干

开关电源辐射发射问题调试一直以来都是工程师们非常头疼的事情，也不知道如何下手，今天就通过几个思维导图把开关电源辐射发射问题调试的思路呈现给广大工程师们，希望能照亮大家辐射调试的黑暗道路。01、反激电

通过软件分析与调试单端时钟信号噪声，几乎是零成本，量产的一致性也可以得到充分的保障。具体方法有：关闭非使用时钟信号、修改信号上升沿时间、降低驱动信号幅度，软件开展频等。01、问题现象描述某产品辐射发射

稳压二极管又叫齐纳二极管，普通二极管反向电压超过其反向耐压值时会被击穿损坏，稳压二极管由于采用特殊的制造工艺，在承受反向电压达到稳压值时，反向电流急剧增大，只要反向电流值不超过允许的最大电流，就可以正

图1：片状吸波材料吸波材料是指材料可吸收、衰减空间入射的电磁波能量，并减少或消除反射的电磁波的一类功能材料。与所有复合材料一样，吸波复合材料同样也是由基体材料和功能体组成。 工程应用上除要求在较宽

01、MOS管定义MOS管的英文全称是MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),即金属-氧化物半导体场效应管。是由多数载流子参

01、正向恢复过程分析外加正向电压时，P区空穴向N区扩散，N区电子向P区扩散，势垒区（耗尽区）变窄，在P区内存储了电子，而在N区内存储了空穴，它们都是非平衡少数载流子。空穴由P区扩散到N区后，一方面继