在本专题的上一篇文章（https://www.dianyuan.com/eestar/article-1217.html）中，作为RCD电路专题的第一篇文章，实际上完全没写RCD电路。在本文中，将写一

反激电源的RCD吸收，对电源研发行业从业者来说是非常常见的电路，一般认为为了处理反激电源变压器漏感带来的功率管电压尖峰，需要通过RCD电路进行处理。尽管十分常见，但是我还是决定写一个专题的系列文章，初

这个专题的前面几篇文章简单写了一些做高频开关电源的难点： 制约开关电源频率提升的局限是什么（一） 概述 制约开关电源频率提升的局限是什么（二）功率半导体 制约开关电源频率提升的局限是什么（三） 无源元

高频开关电源控制电路的时间精度除了功率元件和拓扑，控制电路也是开关电源的重要组成部分。电源工作频率提高，即意味着电源控制部分对时间的控制精度也要提高——PWM类拓扑要更精确的控制占空比宽度，调频类拓扑

高频开关电源中的磁性元件读过前面文章的读者应该有印象，在系列文章的前言中提到了开关电源设计时会采用AP法来选择磁性元件的磁芯尺寸，并借以说明随工作频率的上升，磁芯体积会随之下降。实际上，这个结论十分粗

写在前面上一节内容写到了高频开关电源的拓扑，这一节主要写开关电源中的功率半导体元件（可控硅、三极管、IGBT、MOSFET等）。各种功率半导体开关的局限常规的各种电源变换拓扑都依赖功率半导体元件做功率

写在前面在开关电源这个行业干了十年了，做过的、熟悉的、了解的东西还比较多。这篇文章的内容其实断断续续写了很久，试着从多个角度宽泛而不深入的写一下开关电源工作频率受到的限制。结论性的内容更多，论据较少，