zxh9813：
ST兄,你的判断很准啊,问题就在这里.我的那个限流是多余的,我把我的测试数据告诉你吧:负载75W的时,效率为90;120W时为83.要求上是300W的,还有些问题: 1、PWM的占空,是取样110V的电压,单片机根据比较器判断的高低电平来进行调节的.因为占空就不是固定的了,这样一来,带的负载不同的话,效率就不知道该怎么保证了. 2、在驱动MOS的栅极上,我如果加个12V稳压管与10K的电阻并接到地,是不是会更好一些,原理上说得通吗? 3、因为我的后级电路是要得到一个110V的正弦波形,这样的话,模拟正弦波时,效率还要打个折扣,只有0.7左右 请给高见!THANKS!!