王鑫2006：
我的最新方案:驱动电源是以大功率的MOSFET管IRF1503为核心,LDA作为负载串联在MOSFET的漏极D上,通过控制MOSFET管的栅极来实现对流过LDA电流的控制.但MOSFET是非线性器件,难以直接控制,因此必须将其转化为线性控制.在MOSFET管的漏极D串联一个0.005Ω的电阻R6,用于采样反馈控制,由于R6很小,为了减小引线电阻对R6采样精度的影响,选用ISOTEK公司的PBV型电阻,其电流输入引脚和电压输出引脚是独立的.MOSFET管的电流变化范围是0—50A,输入控制信号的电压范围是0—5V,将采样电阻的电压经过LM358(U1B)放大20倍正好与输入电压匹配.这样控制电压0—5V与流经LDA的0—50A连续可调的稳流源建立起线性对应关系,以适应不同规格的半导体激光器阵列的运行需要.整个反馈是开环系统,十分容易产生自激,因此用一个滤波电容C破坏自激产生的条件,消除自激.MOSFET管受LM358(U1A)的控制,工作在开关状态,为了使流过LDA的电流稳定,我们选用适量的电感L来平稳电流.为了保证带电阻———电感负载的MOSFET安全工作,必须消除负载电感L中的自感电动势击穿MOSFET的可能性,为此在LDA、R6和L串联而成的负载两端并联一个续流二极管D1.MOSFET管关断时,电感中的感应电动势eL使二极管D1正向导通,给负载提供一个续流回路,同时将晶体管的集电极电压钳位于Vdd,从而避免工作点进入击穿区.为了提高D1的关断速度,减小其反相恢复电流对MOSFET的影响,选用快速恢复二极管MUR610.图3.驱动电源主电路图