各位大侠:
有谁做过类似40A,2V的恒流电源
请给点资料提示
谢谢大家
e-mail:liuxing1324@163.net
求40A,2V的恒流电源设计方法
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呵呵是半导体激光打标机的LD恒流电源吧,象大族激光,泰德激光都要用的,偶做的0---1.844V每步0.05V可调,电流0---100A每步O.01A可调,温飘0.05A,重复精度0.01A,纹波噪声小于0.001V,85-264VAC输入,输出1.844V/100A,效率超过80%,限压恒流,全数控LCD显示,可接上位机程控,单台成本200元人民币,市场价超过2万元/台,以上数据供你参考,也可提供有尝技术支持的,呵呵
用恒压源改动取样电路做成恒流源
不太了解啊
10楼的建议我很感兴趣
能具体谈谈吗??可以先发给我些大框的资料吗
还有有偿的技术支持大概多少RMB??
不太了解啊
10楼的建议我很感兴趣
能具体谈谈吗??可以先发给我些大框的资料吗
还有有偿的技术支持大概多少RMB??
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@yzds409
简单
我的最新方案:驱动电源是以大功率的MOSFET管IRF1503为核心,LDA作为负载串联在MOSFET的漏极D上,通过控制MOSFET管的栅极来实现对流过LDA电流的控制.但MOSFET是非线性器件,难以直接控制,因此必须将其转化为线性控制.在MOSFET管的漏极D串联一个0.005Ω的电
阻R6,用于采样反馈控制,由于R6很小,为了减小引线电阻对R6采样精度的影响,选用ISOTEK公司的PBV型电阻,其电流输入引脚和电压输出引脚是独立的.MOSFET管的电流变化范围是0—50A,输入控制信号的电压范围是0—5V,将采样电阻的电压经过LM358(U1B)放大20倍正好与输入电压匹配.这样控制电压0—5V与流经LDA的0—50A连续可调的稳流源建立起线性对应关系,以适应不同规格的半导体激光器阵列的运行需要.整个反馈是开环系统,十分容易产生自激,因此用一个滤波电容C破坏自激产生的条件,消除自激.
MOSFET管受LM358(U1A)的控制,工作在开关状态,为了使流过LDA的电流稳定,我们选用适量的电感L来平稳电流.为了保证带电阻———电感负载的MOSFET安全工作,必须消除负载电感L中的自感电动势击穿MOSFET的可能性,为此在LDA、R6和L串联而成的负载两端并联一个续流二极管D1.MOSFET管关断时,电感中的感应电动势eL使二极管D1正向导通,给负载提供一个续流回路,同时将晶体管的集电极电压钳位于Vdd,从而避免工作点进入击穿区.为了提高D1的关断速度,减小其反相恢复电流对MOSFET的影响,选用快速恢复二极管MUR610.
图3.驱动电源主电路图
阻R6,用于采样反馈控制,由于R6很小,为了减小引线电阻对R6采样精度的影响,选用ISOTEK公司的PBV型电阻,其电流输入引脚和电压输出引脚是独立的.MOSFET管的电流变化范围是0—50A,输入控制信号的电压范围是0—5V,将采样电阻的电压经过LM358(U1B)放大20倍正好与输入电压匹配.这样控制电压0—5V与流经LDA的0—50A连续可调的稳流源建立起线性对应关系,以适应不同规格的半导体激光器阵列的运行需要.整个反馈是开环系统,十分容易产生自激,因此用一个滤波电容C破坏自激产生的条件,消除自激.
MOSFET管受LM358(U1A)的控制,工作在开关状态,为了使流过LDA的电流稳定,我们选用适量的电感L来平稳电流.为了保证带电阻———电感负载的MOSFET安全工作,必须消除负载电感L中的自感电动势击穿MOSFET的可能性,为此在LDA、R6和L串联而成的负载两端并联一个续流二极管D1.MOSFET管关断时,电感中的感应电动势eL使二极管D1正向导通,给负载提供一个续流回路,同时将晶体管的集电极电压钳位于Vdd,从而避免工作点进入击穿区.为了提高D1的关断速度,减小其反相恢复电流对MOSFET的影响,选用快速恢复二极管MUR610.
图3.驱动电源主电路图
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@王鑫2006
我的最新方案:驱动电源是以大功率的MOSFET管IRF1503为核心,LDA作为负载串联在MOSFET的漏极D上,通过控制MOSFET管的栅极来实现对流过LDA电流的控制.但MOSFET是非线性器件,难以直接控制,因此必须将其转化为线性控制.在MOSFET管的漏极D串联一个0.005Ω的电阻R6,用于采样反馈控制,由于R6很小,为了减小引线电阻对R6采样精度的影响,选用ISOTEK公司的PBV型电阻,其电流输入引脚和电压输出引脚是独立的.MOSFET管的电流变化范围是0—50A,输入控制信号的电压范围是0—5V,将采样电阻的电压经过LM358(U1B)放大20倍正好与输入电压匹配.这样控制电压0—5V与流经LDA的0—50A连续可调的稳流源建立起线性对应关系,以适应不同规格的半导体激光器阵列的运行需要.整个反馈是开环系统,十分容易产生自激,因此用一个滤波电容C破坏自激产生的条件,消除自激.MOSFET管受LM358(U1A)的控制,工作在开关状态,为了使流过LDA的电流稳定,我们选用适量的电感L来平稳电流.为了保证带电阻———电感负载的MOSFET安全工作,必须消除负载电感L中的自感电动势击穿MOSFET的可能性,为此在LDA、R6和L串联而成的负载两端并联一个续流二极管D1.MOSFET管关断时,电感中的感应电动势eL使二极管D1正向导通,给负载提供一个续流回路,同时将晶体管的集电极电压钳位于Vdd,从而避免工作点进入击穿区.为了提高D1的关断速度,减小其反相恢复电流对MOSFET的影响,选用快速恢复二极管MUR610.图3.驱动电源主电路图
这是主控恒流回路的方案,现在不想用单片机了
前端是2V,40A的恒压开关电源.这个主控回路加在开关电源后面
主要是控制电流,输出恒流
图贴不上来
请各位大侠看看
这个方案怎么样
是否可行
谢谢大家
前端是2V,40A的恒压开关电源.这个主控回路加在开关电源后面
主要是控制电流,输出恒流
图贴不上来
请各位大侠看看
这个方案怎么样
是否可行
谢谢大家
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@王鑫2006
我的最新方案:驱动电源是以大功率的MOSFET管IRF1503为核心,LDA作为负载串联在MOSFET的漏极D上,通过控制MOSFET管的栅极来实现对流过LDA电流的控制.但MOSFET是非线性器件,难以直接控制,因此必须将其转化为线性控制.在MOSFET管的漏极D串联一个0.005Ω的电阻R6,用于采样反馈控制,由于R6很小,为了减小引线电阻对R6采样精度的影响,选用ISOTEK公司的PBV型电阻,其电流输入引脚和电压输出引脚是独立的.MOSFET管的电流变化范围是0—50A,输入控制信号的电压范围是0—5V,将采样电阻的电压经过LM358(U1B)放大20倍正好与输入电压匹配.这样控制电压0—5V与流经LDA的0—50A连续可调的稳流源建立起线性对应关系,以适应不同规格的半导体激光器阵列的运行需要.整个反馈是开环系统,十分容易产生自激,因此用一个滤波电容C破坏自激产生的条件,消除自激.MOSFET管受LM358(U1A)的控制,工作在开关状态,为了使流过LDA的电流稳定,我们选用适量的电感L来平稳电流.为了保证带电阻———电感负载的MOSFET安全工作,必须消除负载电感L中的自感电动势击穿MOSFET的可能性,为此在LDA、R6和L串联而成的负载两端并联一个续流二极管D1.MOSFET管关断时,电感中的感应电动势eL使二极管D1正向导通,给负载提供一个续流回路,同时将晶体管的集电极电压钳位于Vdd,从而避免工作点进入击穿区.为了提高D1的关断速度,减小其反相恢复电流对MOSFET的影响,选用快速恢复二极管MUR610.图3.驱动电源主电路图
控制电压0~5V是不是小了点,一般MOSFET的驱动电压在10V左右吧.
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