原理图原边两路隔离电压并联输入，副边输出6V串联成12V。现在是直流输入（测试给电），单路6V拉载，原边MOS管电压应力Vds的漏感振荡会到0，这个是什么原因导致的呢？副边的431和光耦参数有问题吗？
，求解惑
对RCD参数进行修改： 原本如图1，Vds=682V； R减小，得到图2，Vds为658V； C加大，得到图3，Vds为569。 以上应力虽然得到改善，但是向下的尖峰振荡依然会降到很低。 D原本用的是GS5M，现在在图3的基础上将D改为1us的慢二极管，得到图4，Vds为489V。尖峰振荡得到了很大的改善，目前现象是得到了很大的改善，还需要再测下其他方面会不会有异常的负面影响。（以上Vds应力都忘记不限制带宽了，对比实验，请忽
） 图5用的是ES3J-35ns的二极管，240Vin-dc，Vds直接到了803V，900V的封装
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初级吸收D8串一个几十欧的电阻，那个到零的电压就会高一点
从波形上看你的变压器还有待优化
一个是电路漏感较大（包括变压器漏感和PCB布局不合理分布电感大），另一个是RC吸收回路参数不合适
