lianghn：
IGBT不停的开关带来的开关损耗是造成IGBT过热的主要原因:IGBT的导通损耗主要由IGBT可靠导通时C、E极间的电压VCE(sat)决定,VCE(sat)越小,导通损耗越小,而VCE(sat)与G极的驱动电压和可靠导通时流过IGBT的电流有关.另外IGBT导通瞬间C、E极间的电压uCE会产生尖峰电流致使IGBT发热IGBT的关断损耗主要取决于关断时的电流大小及关断速度,由于IGBT的G、E极间存在寄生电容CGE及驱动电路内阻,使得IGBT的驱动电压在关断过程中不能很快的下降,因而可能会导致IGBT工作在放大区.