IGBT突波吸收电容双面金属化膜内串结构、特别的内部设计和端面喷金技术，使电容具低感抗，多条引线设计，可承受更高纹波电流，高du/dv以及高过压能力。用于各类IGBT缓冲线路突波吸收，各类高频谐振线路材料特性电容结构:双层金属化膜，内部串联结构封装:阻燃塑胶外壳，环氧树脂封装，符合(UL94V-0)标准.尺寸:适合于各种IGBT保护。(可按客户需求定制特殊规格)电气特性电容量:0.0047to6.8μF,参考表格数据额定电压:700to3000Vdc损耗角正切:测试条件1000±20Hz，25±5℃.            Cr≤1.0μF，4×10-4；Cr>1.0μF，6×10-4绝缘电阻:3000s，s=MΩ.μF测试条件1minute，100Vdc(25±5℃)耐电压:2Ur(DC)测试条件10s，t25±5℃，1Min工作温度:-40~+85℃以上产品全新原装进口，有现货，直接代理商，有价格优势

IGBT突波吸收电容双面金属化膜内串结构、特别的内部设计和端面喷金技术，使电容具低感抗，多条引线设计，可承受更高纹波电流，高du/dv以及高过压能力。用于各类IGBT缓冲线路突波吸收，各类高频谐振线路材料特性电容结构:双层金属化膜，内部串联结构封装:阻燃塑胶外壳，环氧树脂封装，符合(UL94V-0)标准.尺寸:适合于各种IGBT保护。(可按客户需求定制特殊规格)电气特性电容量:0.0047to6.8μF,参考表格数据额定电压:700to3000Vdc损耗角正切:测试条件1000±20Hz，25±5℃.            Cr≤1.0μF，4×10-4；Cr>1.0μF，6×10-4绝缘电阻:3000s，s=MΩ.μF测试条件1minute，100Vdc(25±5℃)耐电压:2Ur(DC)测试条件10s，t25±5℃，1Min工作温度:-40~+85℃以上产品全新原装进口，有现货，直接代理商，有价格优势深圳市嘉林电子有限公司 林高勤    13502822457   0755-82429076 QQ:28390510