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电池板200W*8块，就算满载也就1.6kW，半小时1.2度电，我也是醉了，楼主电能转换效率接近200%。

绝对支持国货。我还是蛮支持这种类似IGBT的想法。从参数上看，Rds与PD的比例还不如非绝缘的管子，国外DIODE品牌也有过尝试，貌似没有推起来，我认为是复杂工艺造成的性能下降和成本提高，相对于散热处理来说，不是那么必要。老外人力成本那么高，都没投入精力研究这个，希望国内的公司谨慎谨慎再谨慎，别把路走偏。 

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生日快乐

散热面积有点小，适配器用的散热器一般是条形，很薄，为了增大散热面积。这个热阻好计算得很啊，一步计算就出来了啊。不过，这个温升确实挺高的，都快100度了，正常最多也就40度。

算一下散热面积，测一下散热的热阻，也许是热设计出了问题。

多大散热器？或者是没有散热器？

MOS一般标称结温175℃，真实结温一般不允许超过150度，以目前的工艺水平，由热阻折算传导至管壳的温差至少30℃，再预留一些设计余量，一般不允许管壳温度超过100℃，我想请问一下，您测到确定测到150℃的管壳温度了？您确定用的是普通MOS不是碳化硅管？您确定这个MOS还活着？

方波逆变波形叠加正弦振荡是由于离散参数和设计参数中的LC震荡引起，建议先测量得到震荡频率，再分析可能会造成该频率震荡的振源。