这的确是一个让人意外的结果,那这个方案有代表性吗?能否推广到大功率(几十KW)或小功率(几十W)的拓扑中去呢?另外,新元件能否增加软开关和硬开关的差异呢?

不好意思,俺说的基本就是他说的那种电容,是很多个(5个)并联的．超低ESR电容因为某种特殊原因,在我们的方案中不能使用．

原来的方案就是多个焊盘放钽电容,希望用并联来解决ESR的问题,后来看到TDK和AVX都专门生产多片并联的陶瓷电容,专门用做低ESR滤波,所以在新方案中准备采用,目前,可靠性还不是主要问题,关键是用什么方法能够降低总的纹波和噪声．根据实验结果,纹波基本已经解决了,关键是MOSFET开关引起的噪声．

谢谢您的提示!这次重新布板已经考虑用X7R(TDK或AVX)的多片陶瓷电容了.50Hz工频用大电容可以滤掉,但没找到真正的原因,变压器绕组是完全对称的.正准备让+5V/-5V绕组对掉试一下.

我们已经尝试了各种方法,但基本都不管用,准备重新制版了.估计只有改变MOSFET的开关速度才能解决,但这样效率就会下降.矛盾啊!

我们见到的最小是5mVpp(不加二级滤波模块的情况下),所以你的2mVpp已经很不错了,可以电话讨论一下了.

上面是没有加二级滤波模块的状况,当时怕误导别人,所以直接把开关电源的输出显示出来,现在我们也做到1.5~4.0mV,但不太稳定,平均在2~3mV左右,因为环境干扰大,无法精确测量了.

指标:+12V/300mA,-12V/300mA,+5V/1.0A提示:最好用非晶材料的开关变压器

要极低的EMI,噪声+纹波小于1mV最好,暂时可以不考虑成本和尺寸.样机限制在300元以内就行,体积不大于一包烟.

你还没给出价格呢,昨天我们已经进入3mV以内了,纹波几乎没有(小于1.5mV),100M尖峰从15mV降低到3mV以内,是在mosfet上加吸收电路解决的,本周有望进入2mV的范围.