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肖特基二极管损坏方式分析
gaoxinlong2006
最新回复:2020-07-10 14:40
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能够等效于MOS rdson的肖特基二极管 10A 的VF:0.36V,应用于高可靠性的SSR电源
gaoxinlong2006
最新回复:2021-11-30 15:27
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gaoxinlong2006:
250W的反激,如果不要GaNMOS,那变压器会非常大
07-04 22:22 回复
原帖:250W反激恒压电源
gaoxinlong2006:
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07-04 16:12 回复
原帖:250W反激恒压电源
gaoxinlong2006:
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07-04 16:11 回复
原帖:250W反激恒压电源
gaoxinlong2006:
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07-04 16:11 回复
原帖:250W反激恒压电源
gaoxinlong2006:
250W反激,那基本要用GaN的MOS来提高频率,只有频率提高了才能降低变压器体积,要不然250W的反激变压器太大了,次级侧用肖特基或者LowVF快恢复MSD15065D,5A-0.7VF[图片][图片]
07-04 16:11 回复
原帖:250W反激恒压电源
gaoxinlong2006:
MOTIVE墨濎半导体,专业功率型TMBS肖特基二极管产品,特别适用于LLC半桥全桥移相等大功率电源的应用,特别是>24V的输出电源,墨濎提供LowVF肖特基二极管产品,用于次级侧整流,特别是用全变频LLC,大电流无风扇电源,>50A的电源,肖特基的耐高温特性更适合这类电源使用
03-02 19:22 回复
原帖:电源IC FAE 7年经历
gaoxinlong2006:
异步升压,墨濎半导体提供功率型肖特基二极管,用于异步升压的输出整流,MOTIVE墨濎提供超低VF,超低漏电的肖特基二极管产品,用于工业级DC-DCBOOST应用
03-02 19:18 回复
原帖:同样是升压电路,MCU+MOS+电感这个方式和升压芯片+MOS+电感这个方式,有哪些优缺点和异同点?
gaoxinlong2006:
移相全桥,初级侧做好了后,如果是大电流输出,而且无风扇,推荐使用功率型肖特基二极管产品,MOTIVE墨濎半导体肖特基二极管产品,特别适用于大功率电源次级侧整流,因为二极管的IFSM特别大,耐大电流冲击,VF超低,效率高
03-01 17:05 回复
原帖:移相全桥gs尖峰
gaoxinlong2006:
如果做到超大电流,比如60V50A,3000W的LLC电源,可以使用MOTIVE墨濎半导体的功功率型肖特基二极管,SAT80H200CPT20AVF=0.6V,做能效6,次级侧整流上下各2PCS,4-5PCS/SET就能满足效率要求,此功率型肖特基二极管主要是IFSM=880A,特别耐浪涌电流冲击,所以大电流的时候只要把初级侧设计好,次级侧就只管上肖特基整流就可以了
03-01 17:02 回复
原帖:TEA2016做的方案各位大神帮我看看有没问题!第一次做LLC第一次用2016
gaoxinlong2006:
次级侧也可以使用肖特基TOLL封装的二极管,这样就只需要关心初级侧的效率和用料,次级侧直接肖特基整流,24V10A选用60-80V的TOLL封装肖特基二极管SLT40L60A或SLT40L80A,10A电流下VF=0.35V
03-01 16:33 回复
原帖:【DIY大赛】+半桥+240W高功率密度LLC电源(测试视频上线)
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