电源IC FAE 7年经历

看过我以前帖子的，应该知道，我10年入行，助工开始，12年换了工作，做研发，15年初由研发转为FAE，这一做就步入了第7个年头了

王工发帖了，好鸡冻，我都紧脏了。

哈哈哈，是有好多年了

想深入浅出的讲解下开关电源，想让刚入行的人，也有大致的了解，所以前期可能会说的都很简单。

打算规划更新流程为：

1、反激的工作原理。

2、方案的选型与变压器设计。

3、EMI的整改。

1、反激的工作原理。

1-1、原边反馈的反激工作原理。

IC方案的升级，一般以更低的成本，更优化性能为前提，所以现在IC的外围是越来越简单了，以前我们做36W以上都是需要光耦817和431做反馈。原边反馈一般只做36W以内，随着IC方案的更新升级，现在也有做80W以内的原边，工作模式由单纯的DCM模式，拓展到CCM模式，至于DCM和CCM的区别，后面讲解。目前我在做启臣微的代理，所以以启臣微的方案为例子。

原理图：

1-1-1、电源上电，通过R5R6给C2充电，达到IC工作电压，GATE驱动脚输出驱动脉冲波形，Q1 MOS管导通，电流流向如下：

形成环路给变压器电感充电。因变压器的同名端反向，此时次级是不导通的，能量全部储存再变压器里，VCC绕组分压后接4脚（FB脚)，做反馈。这里就要说说IC的内部原理结构

实际原边的反馈原理和副边的反馈原理是一个道理，FB脚电压波形和IC的内部基准做比较，输出一个可变的直流电压，再和内部的三角波比较，来决定改变占空比（PWM)或者频率（PFM），达到平稳输出电压的作用。

说个题外话，一般我们都会给客户发IC的规格书，规格书你们会仔细看下吗，是否理解里面的参数所表达的意义。如果有想了解的，我后面可以解释下。

1-1-2、因为反馈的原因，IC驱动关断,MOS管也关断。次级二极管导通，变压器通过二极管给输出负载供电并给输出电容CE3充电。

1-1-3、然后回到1-1-1步骤。MOS管导通，输出二极管D11截止，又给变压器充电，此时因为二极管截止了，输出通过输出电解电容放电来保证输出的持续性，所以实际次级供电只工作了一个周期的一小部分（实际多大，主要看电源占空比），另一部分的周期由电解放电，所以为什么会有纹波电压的原因就在这里，所以需要加大电解容量来降低纹波。就不要问我为什么变压器和二极管能产生导通和截止，这个你们要把高中的知识扔回给老师吗，高中老师可要哭了。

同行，请问在哪家公司高就？

版主也是FAE?有可能还互相知道呢，这个圈子很小

我也快7年了，现在已经是老大叔了

是的

转行做FAE好啊，年纪大了没精力折腾技术。

原边反馈用来设计功率不大的电源，精度没有光藕反馈的精度高。

王工哪家公司高就，对国产电源IC现状如何看待，未来空间多大，做FAE需要哪些经验，对个人成长和职业规划如何，可否分享下

 注意积累整理，多记笔记，将遇到的问题现象和解决思路 验证思路记录下来，多总结。

是的，5%的精度，对电压要求高的，不建议，现在很多用来做橱柜灯，镜柜灯的，还是挺多用原边恒压的

以前在昂宝的代理做FAE，现在和朋友一起做启达和欧创芯的代理。我还是蛮看好国产IC的，未来发展前景很大，想想以前，基本清一色的国外品牌，ST、NXP、NCP这些，现在基本100W以内的反激方案都以国产为主，性能经过这些年的技术沉淀，基本都很稳定，性价比很高。加上服务水平对比国外的品牌，好的不是一星半点。以前刚做研发的时候，用的都是ST和和NCP的，只有规格书，其他全靠自己理解和调试。现在，很多公司的研发只要遇到问题，直接找FAE了，直接帮调试好。

如果你是刚入行，我是建议先去工厂做2-4年的研发，如果再工厂做研发做的好，受到老板的赏识，那我就建议一直做研发就好了。这个不是骗你的意思，如果只是想做FAE，就真没必要做FAE了。

现在的IC  FAE挺累的，不管是原厂的还是代理的，每天忙不完的案子，调不完的机，上升渠道很小，大的IC原厂就那么几家，能让你升职的空间不多，代理呢，FAE职位又比较少，一般一个代理也就1-2个FAE。因为对代理来说，销售团队才是最重要的。

大哥厉害了！！

工作原理说完了，下面我们说说参数设计和变压器设计，也是按这个原理图来选型吧。上面原理图的参数根据输出功率来改变，CR6234这个IC我调过，MOS管驱动能力不够，如果是驱动平面MOS，最大只能驱动7A65的MOS，这个就限制了电源的功率。正常7A的MOS加散热片的话，功率在36W左右（不排除有些用来做60W，实际看扇热情况）。如果是驱动COOLMOS，最大可以驱动550MR左右，也就是12A左右的COOLMOS，这样，功率就大很多了，可以做60W左右，那为什么只能驱动7A的平面MOS却能驱动12A的COOLMOS？因为COOLMOS需要的驱动能力会小点。

顺便说个小知识，COOLMOS的命名规则，耐压+内阻，基本每家的COOLMOS的都遵循了这个命名。比如说安海的COOLMOS,ASA65R550E      实际就是650V 550MR的内阻，ASA65R350E  ：650V350MR的内阻，ASA80R290E:800V290MR的内阻，最近刚好有个单管正激  48V200W的项目上用到（磁吸电源）

看到内阻就大约是知道是多少A的MOS了，这平常需要看一些规格书的时候，要让自己记下来，比如  2A650V的内阻大约在4R左右，4A650V的内阻在2R左右，7A650V的MOS，内阻再1.2R左右。这些参数对于研发来说都是需要记忆的，因为晶元越小，内阻就越大，所以你知道为什么同样是4A/7A的MOS，但是价格还是有差吧，你可能认为是品牌决定，其实品牌只是占一小部分，这个差价大多来源于MOS的晶元和框架。为什么有些牌子的4A的MOS会价格低点，你剪开MOS就知道价格差在哪了。当你记得这些内阻参数，谁想忽悠你都比较难

有点扯远了，回到驱动能力的问题，以前老IC的驱动能力会在规格书里标注，现在的IC规格书已经慢慢不标注这个参数了，但是我们可以从驱动波形来看驱动能力，之前推广启达的IC时，刚好测试了CR6234的驱动波形，所以留有波形

可以看到驱动10N65的平面MOS时，驱动的上升沿明显拉长了，而且驱动波形已经畸变的很严重了，这个导致MOS开关损耗很大，效率低,MOS管发热严重。平常我们整改辐射时，比较难整30M-80M位置时，改大驱动电阻是有效果，但是还是需要注意下驱动波形，如果改的太大，驱动的上升沿太长，辐射是过了，但是MOS管发热严重，导致电源工作不稳定，并有可能有炸机的风险，那就得不偿失了。一般上升沿 1-1.2US为宜，如果还整不过，就建议改其他位置了，毕竟，改变压器绕法不香吗。

王工，我司需要电源芯片，是否有合适的渠道帮忙推荐

有的，我就是做IC代理的，具体什么方案，可以私聊

我是来跟大家学习的！

王总好 我是做Xray检测设备的 能和您合作吗

这样的驱动波形还有多大的应用意义呢

楼主  可以细讲讲变压器的参数设计选型吗。因为我因为工作的原因有的时候需要用到变压器这块，但对于变压器这块我只关心输入的电压输入频率，和变压比，但实际做出来的，副边输出电压比计算值小很多。

在辐射能过的情况下，是不是上升沿越短越好呢

150w适配器有什么好方案没